ZHCSUG9C January   2024  – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 与模拟控制器配合使用
        5. 8.2.2.5 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

8.2.2.1 VCC 旁路电容器

VCC 旁路电容器为低侧和高侧晶体管提供栅极电荷，并吸收自举二极管的反向恢复电荷。可通过方程式 1 计算所需的旁路电容。

方程式 1. CVCC = (2×QG + QRR) / ΔV

QG 是高侧和低侧 GaN FET 的独立且相等的栅极电荷。QRR 是自举二极管的反向恢复电荷。ΔV 是旁路电容器上的最大允许压降。建议使用 1µF 或更大值的优质陶瓷电容器。为最大限度减少寄生电感，应将旁路电容器尽可能靠近器件的 VCC 和 AGND 引脚放置。