ZHCSTJ2B October   2023  – February 2026 TPS3762-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 器件命名规则
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关要求
    7. 6.7 时序要求
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入电压 (VDD)
        1. 7.3.1.1 欠压锁定 (VPOR < VDD < UVLO)
        2. 7.3.1.2 上电复位 (VDD < VPOR)
      2. 7.3.2 SENSE
        1. 7.3.2.1 反极性保护
        2. 7.3.2.2 SENSE 迟滞
      3. 7.3.3 输出逻辑配置
        1. 7.3.3.1 开漏
        2. 7.3.3.2 低电平有效 (RESET)
        3. 7.3.3.3 锁存
        4. 7.3.3.4 UV 旁路
      4. 7.3.4 用户可编程复位延时时间
        1. 7.3.4.1 复位延时时间配置
      5. 7.3.5 用户可编程检测延迟
        1. 7.3.5.1 检测延时时间配置
      6. 7.3.6 内置自检
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 可调电压阈值
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 设计 1：非电池电源监控
        1. 8.3.1.1 设计要求
        2. 8.3.1.2 详细设计过程
          1. 8.3.1.2.1 设置电压阈值
          2. 8.3.1.2.2 满足检测和复位延迟要求
          3. 8.3.1.2.3 设置电源电压
          4. 8.3.1.2.4 启动内置自检和清除锁存器
        3. 8.3.1.3 应用曲线
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 功率损耗和器件运行
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.6 开关要求

条件为 VDD(MIN) ≤ VDD ≤ VDD(MAX)、CTR = CTS = 开路、输出 RESET 上拉电阻器 RPU = 10kΩ、电压 VPU = 5.5V、输出 BIST 上拉电阻器 RPU_BIST = 10kΩ、电压 VPU_BIST= 5.5V 且负载 CLOAD = 10pF。自然通风条件下的工作温度范围为 TA = –40℃ 至 125℃（除非另有说明）。典型值为 TA = 25°C、VDD = 12V，且 VIT = 6.5V (VIT 指的是 VITN 或 VITP)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
通用开关要求
tCTR（无电容） RESET 释放延时时间
(CTR) (1)		 VIT = 800mV
CCTR = 开路
相对于迟滞 20% 过驱		 350 600 µs
tCTR（无电容） RESET 释放延时时间
(CTR) (1)D		 VIT = 2.7V 至 65V
CCTR = 开路
相对于迟滞 20% 过驱		 670 µs
tpd CTS = 禁用(5) VITP = 800mV
VIT 产生 20% 过驱		 1.2 3 µs
tpd CTS = 禁用(5) VITN = 800mV
VIT 产生 20% 过驱		 2 5 µs
tpd CTS = 禁用 VITP = 2.7V 至 65V
VIT 产生 20% 过驱		 10 36 µs
tpd CTS = 禁用 VITN = 2.7V 至 65V
VIT 产生 20% 过驱		 10 36 µs
tCTS 感测检测延时时间
(CTS)(2) (4)		 VIT = 800mV
CCTS = Open
VIT 产生 20% 过驱		 85 100 µs
tCTS 感测检测延时时间
(CTS)(2) (4)		 VIT = 2.7V 至 65V
CCTS = 开路
VIT 产生 20% 过驱		 85 120 µs
tSD 启动延迟 (3) CCTR = 开路 1 ms
BIST 开关要求
tBIST_en_pd BIST_EN 上升沿至 BIST 置为有效 2.3 µs
tBIST_en_pd BIST_EN 上升沿至 RESET 置为有效 2.3 µs
tBIST_recover BIST 上升沿至 SENSE 有效输入 CCTR = 开路，BIST = 启用 350 600 µs
tBIST BIST 运行时间 3.5 ms
tSD+BIST 包含 BIST 运行时间的启动时间 4.5 ms
LATCH 开关要求
tBIST_EN/LATCH_CLR_Recover BIST 上升沿至 SENSE 有效输入 CCTR = 开路，BIST = 禁用 10 µs
(1) CTR 复位检测延时时间：
过压低电平有效输出测量范围为 VITP - HYS 至 VOH
欠压低电平有效输出测量范围为 VITN + HYS 至 VOH
(2) CTS 感测检测延时时间：
过压低电平有效输出测量范围为 VITP 至 VOL
欠压低电平有效输出测量范围为 VITN 至 VOL
(3) 在上电序列期间，在输出基于 VSENSE 处于正确状态之前，VDD 必须达到或高于 VDD(MIN) 并至少维持 tSD+BIST + tCTR 的时间。
tSD 时间包括传播延迟（CCTR = 开路）CTR 上的电容器会增加 tSD 时间。 
(4) CCTS = 开路假设引脚上存在低于 20pF 的寄生电容。
(5) 此参数根据设计或表征确定，而未经生产测试。