ZHCSTJ2B October   2023  – February 2026 TPS3762-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
    1. 4.1 器件命名规则
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关要求
    7. 6.7 时序要求
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入电压 (VDD)
        1. 7.3.1.1 欠压锁定 (VPOR < VDD < UVLO)
        2. 7.3.1.2 上电复位 (VDD < VPOR)
      2. 7.3.2 SENSE
        1. 7.3.2.1 反极性保护
        2. 7.3.2.2 SENSE 迟滞
      3. 7.3.3 输出逻辑配置
        1. 7.3.3.1 开漏
        2. 7.3.3.2 低电平有效 (RESET)
        3. 7.3.3.3 锁存
        4. 7.3.3.4 UV 旁路
      4. 7.3.4 用户可编程复位延时时间
        1. 7.3.4.1 复位延时时间配置
      5. 7.3.5 用户可编程检测延迟
        1. 7.3.5.1 检测延时时间配置
      6. 7.3.6 内置自检
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 可调电压阈值
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 设计 1:非电池电源监控
        1. 8.3.1.1 设计要求
        2. 8.3.1.2 详细设计过程
          1. 8.3.1.2.1 设置电压阈值
          2. 8.3.1.2.2 满足检测和复位延迟要求
          3. 8.3.1.2.3 设置电源电压
          4. 8.3.1.2.4 启动内置自检和清除锁存器
        3. 8.3.1.3 应用曲线
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 功率损耗和器件运行
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

典型特性

典型特性显示了 TPS3762-Q1 器件的典型性能。测试条件均在 TA = 25°C 时取得(除非另有说明)。

TPS3762-Q1 欠压精度与温度间的关系 (VIT = 0.8V)图 6-3 欠压精度与温度间的关系 (VIT = 0.8V)
TPS3762-Q1 IDD 与温度间的关系(RESET = 高电平,VIT = 0.8V)图 6-5 IDD 与温度间的关系(RESET = 高电平,VIT = 0.8V)
TPS3762-Q1 VSENSE 与 ISENSE 间的关系 (VDD = 2.7V)图 6-7 VSENSE 与 ISENSE 间的关系 (VDD = 2.7V)
TPS3762-Q1 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系 (VDD = 2.7V)图 6-9 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系 (VDD = 2.7V)
TPS3762-Q1 传播延迟(欠压)与温度间的关系(VIT = 0.8V,CTS = 启用 = 50pF)图 6-11 传播延迟(欠压)与温度间的关系(VIT = 0.8V,CTS = 启用 = 50pF)
TPS3762-Q1 过压精度与温度间的关系 (VIT = 0.8V)图 6-4 过压精度与温度间的关系 (VIT = 0.8V)
TPS3762-Q1 IDD 与 VDD 间的关系(RESET = 低电平,VIT = 0.8V)图 6-6 IDD 与 VDD 间的关系(RESET = 低电平,VIT = 0.8V)
TPS3762-Q1 VSENSE 与 ISENSE 间的关系 (VDD = 65V)图 6-8 VSENSE 与 ISENSE 间的关系 (VDD = 65V)
TPS3762-Q1 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系 (VDD = 65V)图 6-10 开漏低电平有效 VOL 与 IRESET 间的关系 (VDD = 65V)
TPS3762-Q1 传播延迟(过压)与温度间的关系(VIT = 0.8V,CTS = 启用 = 50pF)图 6-12 传播延迟(过压)与温度间的关系(VIT = 0.8V,CTS = 启用 = 50pF)