ZHCSTJ2B October   2023  – February 2026 TPS3762-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 器件命名规则
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关要求
    7. 6.7 时序要求
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入电压 (VDD)
        1. 7.3.1.1 欠压锁定 (VPOR < VDD < UVLO)
        2. 7.3.1.2 上电复位 (VDD < VPOR)
      2. 7.3.2 SENSE
        1. 7.3.2.1 反极性保护
        2. 7.3.2.2 SENSE 迟滞
      3. 7.3.3 输出逻辑配置
        1. 7.3.3.1 开漏
        2. 7.3.3.2 低电平有效 (RESET)
        3. 7.3.3.3 锁存
        4. 7.3.3.4 UV 旁路
      4. 7.3.4 用户可编程复位延时时间
        1. 7.3.4.1 复位延时时间配置
      5. 7.3.5 用户可编程检测延迟
        1. 7.3.5.1 检测延时时间配置
      6. 7.3.6 内置自检
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 可调电压阈值
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 设计 1：非电池电源监控
        1. 8.3.1.1 设计要求
        2. 8.3.1.2 详细设计过程
          1. 8.3.1.2.1 设置电压阈值
          2. 8.3.1.2.2 满足检测和复位延迟要求
          3. 8.3.1.2.3 设置电源电压
          4. 8.3.1.2.4 启动内置自检和清除锁存器
        3. 8.3.1.3 应用曲线
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 功率损耗和器件运行
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
8.3.1.2.4 启动内置自检和清除锁存器

内置自检 (BIST) 在器件加电时置为生效，如图 7-10 中所述。BIST 也可以通过上升沿随时启动，该上升沿越过 BIST_EN/LATCH_CLR 引脚上的电压逻辑高电平输入（VBIST_EN 或 VBIST_EN/LATCH_CLR > 1.3V），如图 7-11 中所述。输出复位锁存器由器件型号设置。对于此设计中使用的器件型号 TPS3762D02OVDDFRQ1，输出具有锁存器。器件特定输出复位锁存功能可在器件解码器中找到。要清除锁存器，需要在 BIST_EN/LATCH_CLR 引脚上提供的逻辑高电平输入。清除锁存器时，BIST 被启动并且在 tBIST + t BIST_recover + t CTR 到期后，RESET 将返回逻辑高电平，如 图 7-6 中所述。当 VBIST_EN/LATCH_CLR > 1.3V 时，器件处于锁存禁用模式，RESET不会在 SENSE 引脚上针对 OV 和 UV进行锁存。当器件处于锁存禁用模式时，RESET 仍会在发生 OV 和 UV故障时置为有效。