ZHCSSY5A December   2024  – October 2025 LMK3C0105

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 运行
        2. 7.4.2.2 数字状态机
        3. 7.4.2.3 展频时钟
        4. 7.4.2.4 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
        2. 7.4.3.2 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出启用
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 8 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器（地址 = 0x0）[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器（地址 = 0x1）[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器（地址 = 0x2）[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器（地址 = 0x3）[复位 = 0x1804]
      5. 8.1.5  R4 寄存器（地址 = 0x4）[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器（地址 = 0x5）[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器（地址 = 0x6）[复位 = 0x0AA7]
      8. 8.1.8  R7 寄存器（地址 = 0x7）[复位 = 0x5D1F]
      9. 8.1.9  R8 寄存器（地址 = 0x8）[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器（地址 = 0x9）[复位 = 0x3000/0x1000]
      11. 8.1.11 R10 寄存器（地址 = 0xA）[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器（地址 = 0xB）[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器（地址 = 0xC）[复位 = 0xE800]
      14. 8.1.14 R238 寄存器（地址 = 0xEE）[复位 = 0x0000]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例：更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.3.2 器件配置控制

图 7-2 展示了器件状态、配置引脚、器件初始化和器件运行模式之间的关系。如果 REF_CTRL 引脚在启动时被拉至高电平，则进入 OTP 模式。如果 REF_CTRL 引脚在启动时被拉至低电平，则进入 I2C 模式。在 OTP 模式下，OTP_SEL0/SCL 和 OTP_SEL1/SDA 引脚的状态决定加载到有效寄存器中的 OTP 页面。可对该器件进行一次性编程，这意味着无法更改存储在内部 EFUSE 中的寄存器设置。通过更改 REF_CTRL 引脚的状态，然后通过将 VDD 拉至低电平再拉至高电平来触发器件下电上电，可以将器件从 OTP 模式转换为 I2C 模式，反之亦然。在 OTP 模式下，OTP_SEL0 或 OTP_SEL1 引脚电平的更改（然后将 REF_CTRL 引脚拉至高电平）会动态地更改有效 OTP 页面。第一次 OTP_SEL 引脚更改和将 REF_CTRL 拉至高电平之间的时间间隔必须小于 350µs，否则器件将进入 I2C 模式。

在 I2C 模式下，I2C_ADDR 引脚的状态决定器件的 I2C 地址，OTP_SEL0/SCL 和 OTP_SEL1/SDA 引脚分别重新用作 I2C 时钟和数据引脚。在 I2C 模式下，主机可以更新有效器件寄存器。如果使用与已编程配置不同的配置，则必须在每次下电上电后写入寄存器。

通过将 PDN 位 (R10[1]) 设置为“1”，可以将器件置于低功耗状态。清除 PDN 位会使器件退出低功耗状态。如果 DEV_IDLE_STATE_SEL 位 (R10[4]) 为“0”且输出被禁用，则器件进入低功耗状态。需要进入低功耗状态，才能更改通道 0 使用的 FOD 的频率，更改 SSC 配置以及更改输出格式。TI 建议在该低功耗状态下执行寄存器写入操作。将 OTP_AUTOLOAD_DIS (R10[2]) 位设置为“1”，以防止在将 PDN 设置为“0”之前自动加载 OTP 第 0 页。

有两个字段决定了器件退出低功耗状态时的状态。PIN_RESAMPLE_DIS (R10[3]) 控制在退出低功耗状态时是否对 I2C_ADDR、OTP_SEL0/SCL、OTP_SEL1/SDA 和 REF_CTRL 引脚进行重新采样。如果对引脚重新采样，并且 REF_CTRL 引脚被拉至高电平，则该器件可以转换到 OTP 模式。将该位设置为“1”可禁用此功能。OTP_AUTOLOAD_DIS 控制在退出低功耗状态时是否将 OTP 第 0 页的内容加载到器件寄存器中。如果 OTP_AUTOLOAD_DIS 位为“1”，且 PIN_RESAMPLE_DIS 位为“1”，则寄存器内容不会改变。如果 OTP_AUTOLOAD_DIS 位为“0”，而 PIN_RESAMPLE_DIS 位为“1”，则会将 OTP 第 0 页的内容加载到寄存器中。如果 PIN_RESAMPLE_DIS 位为“0”，且 REF_CTRL 被拉至高电平，则器件进入 OTP 模式。在这种情况下，OTP_SEL0/SCL 和 OTP_SEL1/SDA 控制加载到器件寄存器中的 OTP 页面。

LMK3C0105 LMK3C0105 器件模式图图 7-2 LMK3C0105 器件模式图

在 I2C 模式下，器件寄存器来自 OTP 第 0 页的内容。在 OTP 模式下，这些值来自四个 OTP 页面之一，可根据启动时 OTP_SELx 引脚的状态进行选择。图 7-3 展示了 LMK3C0105 内的接口和控制块，其中箭头表示来自不同嵌入式存储器的读写访问。

LMK3C0105 LMK3C0105 接口和控制块图 7-3 LMK3C0105 接口和控制块