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ZHCSSE1A September 2024 – December 2024 TPS1214-Q1

PRODUCTION DATA

在不使用低功耗旁路路径的应用中，可以使用主 FET GATE 驱动器控制来进行电容充电。

为了在具有容性负载的主 FET 导通期间限制浪涌电流，请使用 R₁、R₂、C₁、D₂，如图 8-7 所示。R₁ 和 C₁ 元件会减慢主 FET 栅极的电压斜坡速率。FET 源极跟随栅极电压，从而在输出电容器上实现受控电压斜坡。

图 8-7 主路径中的浪涌电流限制

使用方程式 6 可以计算 FET 导通期间的浪涌电流。

方程式 6.

I_{I N R U S H} = C_{L O A D} \times \frac{V_{B A T T}}{T_{c h a r g e}}

方程式 7.

C_{1} = \frac{0.63 \times V_{(B S T - S R C)} \times C_{L O A D}}{R_{1} \times I_{INRUSH}}

其中，

C_LOAD 是负载电容。

VBATT 是输入电压，T_charge 是充电时间。

V_(BST-SRC) 是电荷泵电压 (12V)。

使用与 C₁ 串联的阻尼电阻 R₂（大约 10Ω）。方程式 8 可用于计算目标浪涌电流所需的 C₁ 值。R₁ 的 100kΩ 电阻可以作为计算的良好起点。

D₂ 通过绕过 R₁ 确保快速关断 GATE 驱动器。

C₁ 会在开通期间在 C_BST 上产生额外的充电负载。使用以下公式可计算所需的 C_BST 值：

方程式 8.

C_{B S T} = \frac{Q_{g (t o t a l)}}{∆ V_{B S T}} + 10 \times C_{1}

其中，

Q_g(total) 是 FET 的总栅极电荷。

ΔV_BST（典型值为 1V）是 BST 到 SRC 引脚上的纹波电压。