9 修订历史记录
All Revision History Changes Intro HTMLNovember 1, 2025 to August 30, 2026 (from RevisionC (November 2025)to RevisionD (August 2026))
- (特性):已将 Arm® Cortex®-R5F MCU 指令缓存与数据缓存内存从“16K”更新/更改为“32K”Go
- (说明):通篇添加了 C7™ DSP 参考的商标Go
- (器件比较):添加了 JTAG 用户 ID 寄存器位字段 [CTRLMMR_WKUP_JTAG_USER_ID[31:16] "DEVICE_ID"];将 DEVICE_ID 位字段值与每个 GPN 关联;添加/更改了相关脚注Go
- (相关产品):新增了新的部分Go
- (未使用引脚的连接):为“连接要求”表中未列出的所有焊球添加了定义所有未使用信号(带焊盘配置寄存器和不带焊盘配置寄存器)的说明Go
- (SERDES 电气特性):删除了 SGMII、QSGMII 和 USXGMII 注释,因为不适用于器件Go
- (独立的 MCU 域和 Main 域,仅 MCU 时序的进入和退出):更新了标记有“WKUP_*”的振荡器的波形,以指示这些信号保持激活状态。更新了 MCU_PORz 波形,以反映其保持置为有效状态,因为 MCU 侧未发生引导‑模式重新锁存。Go
- (独立的 MCU 域和 Main 域,DDR 保持状态的进入和退出):更新了标记有“WKUP_*”的振荡器的波形,以指示这些信号保持激活状态。更新了 MCU_PORz 波形,以反映其保持置为有效状态,因为 MCU 侧未发生引导‑模式重新锁存。Go
- (独立的 MCU 域和 Main 域,GPIO 保持时序的进入和退出):更新了标记有“WKUP_*”的振荡器的波形,以指示这些信号保持激活状态。更新了 MCU_PORz 波形,以反映其保持置为有效状态,因为 MCU 侧未发生引导‑模式重新锁存。Go
- (复位时序):更新/更改了章节,包括时序要求表、相关图、添加了脚注/注释Go
- (WKUP_OSC0 开关特性 - 晶体模式 [表]):更新/更改了表的值Go
- (OSC1 开关特性 - 晶体模式 [表]):更新/更改了表的值Go
- (输出时钟):更新了 MCU_OBSCLK0 说明Go
- (HS400 模式):添加了 HS4003 和 HS4004 参数的注释Go
- (MMC1 - SD/SDIO 接口):删除了 MMC2 基准Go
- (详细说明):删除了空白部分Go
- (工具与软件):添加了 CCStudio™ 生态系统的商标Go