ZHCSMP9A November   2021  – January 2026 DRV8231A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
    7. 6.7 时序图
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 电桥控制
      2. 7.4.2 电流检测和调节 (IPROPI)
        1. 7.4.2.1 电流检测
        2. 7.4.2.2 电流调节
      3. 7.4.3 保护电路
        1. 7.4.3.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.4.3.2 热关断 (TSD)
        3. 7.4.3.3 VM 欠压锁定 (UVLO)
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 工作模式
      2. 7.5.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.5.3 故障模式
    6. 7.6 引脚图
      1. 7.6.1 逻辑电平输入
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 有刷直流电机
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 电机电压
          2. 8.2.1.2.2 电机电流
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 失速检测
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
          1. 8.2.2.2.1 失速检测时序
          2. 8.2.2.2.2 失速阈值选择
        3. 8.2.2.3 应用曲线
      3. 8.2.3 继电器驱动
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
          1. 8.2.3.2.1 单线圈继电器的控制接口
          2. 8.2.3.2.2 双线圈继电器的控制接口
        3. 8.2.3.3 应用曲线
      4. 8.2.4 具有标准电机驱动器引脚排列的多源供应
    3. 8.3 电流能力和热性能
      1. 8.3.1 功耗和输出电流能力
      2. 8.3.2 热性能
        1. 8.3.2.1 稳态热性能
        2. 8.3.2.2 瞬态热性能
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 大容量电容
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

4.5V ≤ VVM ≤ 33V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。典型值是在 TJ = 25 °C 且 VVM = 24V 时。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源 (VM)
IVMQ VM 睡眠模式电流 VVM = 24V，IN1 = IN2 = 0，TJ = 25°C 1 µA
IVM VM 活动模式电流 VVM = 24V，IN1 = IN2 = 1 3 4 mA
tWAKE 开通时间 控制信号进入运行模式 250 µs
tSLEEP 关断时间 控制信号进入睡眠模式 0.8 1.5 ms
逻辑电平输入 (INx)
VIL 输入逻辑低电平电压 0.5 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.5 V
VHYS 输入迟滞 200 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VIN = 0V -1 1 µA
IIH 输入逻辑高电流 VIN = 3.3V 33 100 µA
RPD 输入下拉电阻 至 GND 100 kΩ
驱动器输出（OUTx）
RDS(on)_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 VVM = 24V，I = 1A, fPWM = 25kHz 300 mΩ
RDS(on)_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 VVM = 24V，I = 1A，fPWM = 25kHz 300 mΩ
VSD 体二极管正向电压 IOUT = 1A 0.8 V
tRISE 输出上升时间 VVM = 24V，OUTx 从 10% 上升至 90% 220 ns
tFALL 输出下降时间 VVM = 24V，OUTx 从 90% 下降至 10% 220 ns
tPD 输入至输出传播延迟 INx 至 OUTx 0.7 1 µs
tDEAD 输出死区时间 200 ns
集成电流检测和调节功能（IPROPI、VREF）
AIPROPI 电流镜比例因数 1500 µA/A
AERR 电流镜总误差 IOUT = 1A，VVM ≥ 6.5V，VIPROPI ≤ 3.0V -6 6 %
tOFF 电流调节关断时间 25 µs
tBLK 电流调节消隐时间 1.4 µs
tDELAY 电流检测延迟时间 1.1 µs
tDEG 电流调节抗尖峰脉冲时间 0.7 µs
保护电路
VUVLO 电源欠压锁定 (UVLO) 电源上升 4.15 4.3 4.45 V
电源下降 4.05 4.2 4.35 V
VUVLO_HYS 电源 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 100 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 10 µs
IOCP 过流保护跳变点 3.7 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 1.5 µs
tRETRY 过流保护重试时间 3 ms
TTSD 热关断温度 150 175 °C
THYS 热关断迟滞 40 °C