ZHCSMP9A November   2021  – January 2026 DRV8231A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
    7. 6.7 时序图
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 电桥控制
      2. 7.4.2 电流检测和调节 (IPROPI)
        1. 7.4.2.1 电流检测
        2. 7.4.2.2 电流调节
      3. 7.4.3 保护电路
        1. 7.4.3.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.4.3.2 热关断 (TSD)
        3. 7.4.3.3 VM 欠压锁定 (UVLO)
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 工作模式
      2. 7.5.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.5.3 故障模式
    6. 7.6 引脚图
      1. 7.6.1 逻辑电平输入
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 有刷直流电机
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 电机电压
          2. 8.2.1.2.2 电机电流
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 失速检测
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
          1. 8.2.2.2.1 失速检测时序
          2. 8.2.2.2.2 失速阈值选择
        3. 8.2.2.3 应用曲线
      3. 8.2.3 继电器驱动
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
          1. 8.2.3.2.1 单线圈继电器的控制接口
          2. 8.2.3.2.2 双线圈继电器的控制接口
        3. 8.2.3.3 应用曲线
      4. 8.2.4 具有标准电机驱动器引脚排列的多源供应
    3. 8.3 电流能力和热性能
      1. 8.3.1 功耗和输出电流能力
      2. 8.3.2 热性能
        1. 8.3.2.1 稳态热性能
        2. 8.3.2.2 瞬态热性能
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 大容量电容
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.5.1 布局指南

由于 DRV8231A 集成了能够驱动大电流的功率 MOSFET，因此应特别注意布局设计和外部元件放置。下面提供了一些设计和布局指南。

  • VM 至 GND 旁路电容器可以采用低 ESR 陶瓷电容器。建议使用 X5R 和 X7R 类型的电容器。
  • VM 电源电容器可以应放置在尽可能靠近器件的位置，以尽可能减少环路电感。
  • VM 电源大容量电容器可以是陶瓷电容器或电解电容器，但也可以应尽可能靠近器件放置，以更大限度减小回路电感。
  • VM、OUT1、OUT2 和 GND 承载着从电源传输到输出、然后传回到接地端的高电流。对于这些迹线，可以应使用厚金属布线（如果可行）。
  • 可以通过散热过孔将器件散热焊盘连接到 PCB 顶层接地平面和内部接地平面（如果可用）上，以获得最强的 PCB 散热效果。
  • “封装图”一节中提供了建议用于热通路的焊盘图案。
  • 可以尽可能扩大连接到散热焊盘的铜平面面积，以保持良好的散热效果。