ZHCSM28 December   2025 TPS1HC120-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 EN 和 EN_AUX 的 ORing
      2. 7.3.2 电感负载关断钳位
      3. 7.3.3 全面保护和诊断
        1. 7.3.3.1  可编程电流限制
        2. 7.3.3.2  短路和过载保护
          1. 7.3.3.2.1 电容充电
        3. 7.3.3.3  导通状态开路负载检测
        4. 7.3.3.4  反极性和电池反向保护
        5. 7.3.3.5  热保护行为
        6. 7.3.3.6  UVLO 保护
        7. 7.3.3.7  接地失效保护
        8. 7.3.3.8  电源失效保护
        9. 7.3.3.9  反向电流保护
        10. 7.3.3.10 MCU I/O 保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 详细设计过程
        1. 8.2.1.1 动态改变电流限制
        2. 8.2.1.2 AEC Q100-012 测试 A 级认证
        3. 8.2.1.3 EMC 瞬态干扰测试
      2. 8.2.2 功率耗散计算
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 无接地网络
        2. 8.4.2.2 有接地网络
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.6 开关特性

VBB = 13.5V，TJ = –40°C 至 150°C（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tDR_SLEEP 通道导通延迟时间（从睡眠状态） VBB = 13.5V，RL = 30Ω，EN 的 50% 至 VOUT 的 10% 28 40 44 µs
tDR_STBY 通道导通延迟时间（从待机状态） VBB = 13.5V，RL = 30Ω，EN 的 50% 至 VOUT 的 10% 5 20 40 µs
tDF 通道关断延迟时间 VBB = 13.5V，RL = 30Ω，EN 的 50% 至 VOUT 的 90% 20 40 60 µs
SRR VOUT 上升转换率 VBB = 13.5V，VOUT 的 20% 至 80%，
RL = 30Ω		 0.13 0.3 0.5 V/µs
SRF VOUT 下降压摆率 VBB = 13.5V，VOUT 的 80% 至 20%，
RL = 30Ω，		 0.2 V/µs
tON 通道导通时间 VBB = 13.5V，RL = 30Ω，EN 的 50% 至 VOUT 的 80%， 35 50 65 µs
tOFF 通道关断时间 VBB = 13.5V，RL = 30Ω，EN 的 50% 至 VOUT 的 20%， 50 75 110 µs
tON - tOFF  导通和关断匹配 1ms 使能脉冲，VBB = 13.5V，RL = 30Ω， -70 30 µs
200µs 使能脉冲，VBB = 13.5V，RL = 30Ω，
 		 -30 30 µs
ΔPWM  PWM 精度 - 平均负载电流 200µs 使能脉冲（1ms 周期），VBB = 13.5V，RL = 30Ω 
 		 -15 25 %
ΔPWM  PWM 精度 - 平均负载电流 ≤500Hz，50% 占空比 VBB = 13.5V，RL = 30Ω 
 		 -10 10 %
EON 导通期间的开关能量损耗 VBB = 13.5V，RL = 30Ω， 0.05 mJ
EOFF 关断期间的开关能量损耗 VBB = 13.5V，RL = 30Ω， 0.05 mJ