ZHCSL91C October   2020  – May 2026 TPS25947

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输入反极性保护
      2. 7.3.2  欠压锁定（UVLO 和 UVP）
      3. 7.3.3  过压锁定 (OVLO)
      4. 7.3.4  过压钳位 (OVC)
      5. 7.3.5  浪涌电流、过流和短路保护
        1. 7.3.5.1 压摆率 (dVdt) 和浪涌电流控制
        2. 7.3.5.2 断路器
        3. 7.3.5.3 工作电流限制
        4. 7.3.5.4 短路保护
      6. 7.3.6  模拟负载电流监视器
      7. 7.3.7  反向电流保护
      8. 7.3.8  过热保护 (OTP)
      9. 7.3.9  故障响应和指示 (FLT)
      10. 7.3.10 辅助通道控制 (AUXOFF)
      11. 7.3.11 电源正常状态指示 (PG)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 单器件，自控型
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 器件选择
        2. 8.2.2.2 设置欠压和过压阈值
        3. 8.2.2.3 设置输出电压上升时间 (tR)
        4. 8.2.2.4 设置电源正常状态阈值
        5. 8.2.2.5 设置过流阈值 (ILIM)
        6. 8.2.2.6 设置过流消隐时间间隔 (tITIMER)
      3. 8.2.3 应用曲线
      4. 8.2.4 有源 ORing
      5. 8.2.5 优先电源多路复用
      6. 8.2.6 USB PD 端口保护
      7. 8.2.7 并行运行
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 瞬态保护
      2. 8.3.2 输出短路测量
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.4.1 布局指南

  • 对于所有应用，TI 建议在 IN 引脚和 GND 引脚之间使用 0.1μF 或更大的陶瓷去耦电容器。

  • 去耦电容器的最佳放置位置是紧靠器件的 IN 引脚和 GND 引脚的位置。请注意，应尽可能缩减由旁路电容连线、IN 引脚和 IC 的 GND 引脚组成的环路面积。

  • 高载流电源路径连接必须尽可能短，并且其大小必须能够承载至少两倍的满载电流。

  • 必须在 IC 的引脚处将 GND 引脚连接至 PCB 接地平面，且迹线尽可能短。PCB 接地必须是电路板上的一个铜层或铜岛。TI 建议为电子保险丝留出一个单独的接地平面岛。该平面不承载任何高电流，并用作电子保险丝的所有关键模拟信号的静态接地基准。必须使用星型连接将器件接地平面连接至系统电源接地平面。

  • IN 和 OUT 引脚用于散热。使用散热过孔尽可能连接到 PCB 顶层和底层上的铜区域。器件下方的过孔还有助于更大限度地减小 IN 和 OUT 焊盘上的电压梯度，并均匀地分配流经器件的电流，这对于实现出色的导通电阻和电流检测精度至关重要。

  • 将以下支持元件放置在靠近连接引脚的位置：

    • RILM

    • CdVdT

    • CITIMER

    • 用于 EN/UVLO、OVLO/OVCSEL 和 PGTH 引脚的电阻器

  • 采用最短的走线将元件另一端连接至器件的 GND 引脚。为了减少对电流限制、过流消隐间隔和软启动时间的寄生效应，应使将 RILM、CITIMER 和 CdVdt 元件连接该器件的布线尽可能短。TI 建议将 ILM 引脚上的寄生电容保持在 50pF 以下，以保证稳定运行。这些走线不得与电路板中的开关信号发生耦合。

  • 由于 ILM 引脚上的偏置电流直接控制器件的过流保护行为，因此这些节点的 PCB 布线必须远离任何噪声（开关）信号。

  • 必须将保护器件（如 TVS、缓冲器、电容器或二极管）放置在紧靠其要保护的器件的物理位置。必须使用短迹线为这些保护器件布线以减少电感。例如，TI 建议使用保护肖特基二极管来解决由于电感负载切换引起的负瞬变。TI 建议在 OUT 和 GND 之间添加一个 1μF 或更大的陶瓷去耦电容器。这些元件必须放置在靠近 OUT 引脚的位置。请注意，应尽可能缩减由肖特基二极管/旁路电容连线、OUT 引脚和 IC 的 GND 端子组成的环路面积。