ZHCSKQ1C May   2019  – December 2024 LMG1025-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 输出级
      3. 6.3.3 辅助电源和欠压锁定
      4. 6.3.4 过热保护 (OTP)
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 处理接地反弹
        2. 7.2.2.2 生成纳秒脉冲
        3. 7.2.2.3 VDD 和过冲
        4. 7.2.2.4 以更高频率运行
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 栅极驱动环路电感和接地连接
      2. 9.1.2 旁路电容器
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

5.4 热性能信息

热指标(1) LMG1025-Q1 单位
DRV (WSON) DEE (WSON)
6 引脚 6 引脚
RθJA 结至环境热阻 72.4 66.7 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 90.1 87.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 35.8 30.8 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 3.1 2.2 °C/W
YJB 结至电路板特征参数 35.8 30.7 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 13.8 6.7 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。