ZHCSKQ1C May 2019 – December 2024 LMG1025-Q1
PRODUCTION DATA
LMG1025-Q1 设计为配合单个低侧接地基准 GaN 或逻辑电平 FET 使用,如图 7-1 所示。独立栅极驱动电阻 R1 和 R2 分别用于单独控制导通和关断驱动强度。为了实现快速且强力的关断,可将 R2 短接并将 OUTL 直接连接到晶体管的栅极。为了获得对称驱动强度,可以将 OUTH 和 OUTL 短接并使用单个栅极驱动电阻。应该注意确保功率器件栅极上的振铃或任何栅极驱动器引脚上的振铃不超过建议额定值。电阻在抑制这些振铃方面发挥着重要作用。对于栅极驱动器和功率器件而言,栅极电阻的布局和类型也非常重要。
强烈建议在每个 OUTH 和 OUTL 端使用至少 2Ω 的电阻,以避免因电感振铃而导致电压过应力。必须确保振铃低于 VDD+0.3V。
对于需要较小电阻的应用,请联系工厂寻求指导。
图 7-1 典型的电路实现