ZHCSKQ1C May   2019  – December 2024 LMG1025-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 输出级
      3. 6.3.3 辅助电源和欠压锁定
      4. 6.3.4 过热保护 (OTP)
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 处理接地反弹
        2. 7.2.2.2 生成纳秒脉冲
        3. 7.2.2.3 VDD 和过冲
        4. 7.2.2.4 以更高频率运行
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 栅极驱动环路电感和接地连接
      2. 9.1.2 旁路电容器
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

5.6 开关特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
tstart启动时间，VDD 上升至高于 UVLOIN- = GND，IN+ = VDD，VDD 上升至高于 4.4V 至 OUTH 上升4078µs
tshut-offULVO 下降IN- = GND，IN+ = VDD，VDD 下降至低于 3.9V 至 OUTH 下降0.72.53.5µs
tpd, r导通传播延迟IN- = 0V，IN+ 至 OUTH，100pF 负载1.52.64.1ns
tpd, f关断传播延迟IN- = 0V，IN+ 至 OUTL，100pF 负载1.82.94.4ns
Δtpd脉冲正失真，(tpd, f - tpd, r)0300610ps
trise输出上升时间0Ω 串联 220pF 负载(1)650ps
tfall输出下降时间0Ω 串联 220pF 负载(1)850ps
tmin可改变输出状态的最小输入脉冲宽度0Ω 串联 220pF 负载(1)1.25ns
(1) 上升和下降时间计算为从 GaN FET 栅极电压的 20% 到 80% 所经历的时间。