ZHCSKQ1C May   2019  – December 2024 LMG1025-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 输出级
      3. 6.3.3 辅助电源和欠压锁定
      4. 6.3.4 过热保护 (OTP)
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 处理接地反弹
        2. 7.2.2.2 生成纳秒脉冲
        3. 7.2.2.3 VDD 和过冲
        4. 7.2.2.4 以更高频率运行
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 栅极驱动环路电感和接地连接
      2. 9.1.2 旁路电容器
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8 电源相关建议

必须在 VDD 和 GND 引脚之间靠近 IC 的位置连接一个低 ESR/ESL 陶瓷电容，以支持在 FET 导通期间从 VDD 汲取高峰值电流。最好将 VDD 去耦电容与驱动器放置在 PC 板的同一侧。过孔的电感可能会在 IC 引脚上造成过多的振铃效应。

TI 建议使用以分流直通方式连接的三端电容，以实现最低的 ESL 和最好的瞬态性能。此电容可以尽可能靠近 IC 放置，而另一容量更大的电容可以靠近三端电容放置，以便提供足够的电荷，但带宽略低。一般做法是，建议使用 0.1μF 0402 或馈通电容（最靠近 LMG1025-Q1）和 1μF 0603 电容组合。