ZHCSID6C June   2018  – May 2026 LMK05318

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息：4 层 JEDEC，标准 PCB
    5. 5.5 热性能信息：10 层定制 PCB
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 时序图
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 输出时钟测试配置
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
      1. 7.1.1 符合 ITU-T G.8262 (SyncE) 标准
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 PLL 架构概述
      2. 7.2.2 DPLL 模式
      3. 7.2.3 仅 APLL 模式
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  振荡器输入 (XO_P/N)
      2. 7.3.2  基准输入（PRIREF_P/N 和 SECREF_P/N）
      3. 7.3.3  时钟输入连接和端接
      4. 7.3.4  基准输入多路复用器选择
        1. 7.3.4.1 自动输入选择
        2. 7.3.4.2 手动输入选择
      5. 7.3.5  无中断切换
      6. 7.3.6  基准输入上的间隙时钟支持
      7. 7.3.7  输入时钟和 PLL 监控、状态和中断
        1. 7.3.7.1 XO 输入监控
        2. 7.3.7.2 基准输入监控
          1. 7.3.7.2.1 基准验证计时器
          2. 7.3.7.2.2 振幅监控器
          3. 7.3.7.2.3 频率监控
          4. 7.3.7.2.4 漏脉冲监控器（后期检测）
          5. 7.3.7.2.5 矮脉冲监控器（早期检测）
        3. 7.3.7.3 PLL 锁定检测器
        4. 7.3.7.4 调优字历史记录
        5. 7.3.7.5 状态输出
        6. 7.3.7.6 中断
      8. 7.3.8  PLL 关系
        1. 7.3.8.1  PLL 频率关系
        2. 7.3.8.2  模拟 PLL（APLL1、APLL2）
        3. 7.3.8.3  APLL 参考路径
          1. 7.3.8.3.1 APLL XO 倍频器
          2. 7.3.8.3.2 APLL1 XO 基准 (R) 分频器
          3. 7.3.8.3.3 APLL2 基准 (R) 分频器
        4. 7.3.8.4  APLL 相位频率检测器 (PFD) 和电荷泵
        5. 7.3.8.5  APLL 反馈分频器路径
          1. 7.3.8.5.1 APLL1N 分频器，具有 SDM
          2. 7.3.8.5.2 APLL2N 分频器，具有 SDM
        6. 7.3.8.6  APLL 环路滤波器（LF1、LF2）
        7. 7.3.8.7  APLL 压控振荡器（VCO1、VCO2）
          1. 7.3.8.7.1 VCO 校准
        8. 7.3.8.8  APLL VCO 时钟分配路径（P1、P2）
        9. 7.3.8.9  DPLL 基准 (R) 分频器路径
        10. 7.3.8.10 DPLL 时间数字转换器 (TDC)
        11. 7.3.8.11 DPLL 环路滤波器 (DLF)
        12. 7.3.8.12 DPLL 反馈 (FB) 分频器路径
      9. 7.3.9  输出时钟分配
      10. 7.3.10 输出通道多路复用器
      11. 7.3.11 输出分频器 (OD)
      12. 7.3.12 时钟输出 (OUTx_P/N)
        1. 7.3.12.1 交流差分输出 (AC-DIFF)
        2. 7.3.12.2 HCSL 输出
        3. 7.3.12.3 1.8V LVCMOS 输出
        4. 7.3.12.4 LOL 期间输出自动静音
      13. 7.3.13 无毛刺输出时钟启动
      14. 7.3.14 时钟输出连接和端接
      15. 7.3.15 输出同步 (SYNC)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件启动
        1. 7.4.1.1 器件上电复位 (POR)
        2. 7.4.1.2 PLL 启动序列
        3. 7.4.1.3 HW_SW_CTRL 引脚功能
        4. 7.4.1.4 使用 EEPROM
      2. 7.4.2 PLL 工作模式
        1. 7.4.2.1 自由运行模式
        2. 7.4.2.2 锁定获取
        3. 7.4.2.3 锁定模式
        4. 7.4.2.4 保持模式
      3. 7.4.3 数控振荡器 (DCO) 模式
        1. 7.4.3.1 DCO 频率步长
        2. 7.4.3.2 DCO 直接写入模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 接口和控制
      2. 7.5.2 I2C 串行通信
        1. 7.5.2.1 I2C 块寄存器传输
      3. 7.5.3 SPI 串行通信
        1. 7.5.3.1 SPI 块寄存器传输
      4. 7.5.4 寄存器映射和 EEPROM 映射生成
      5. 7.5.5 通用寄存器编程序列
      6. 7.5.6 EEPROM 编程流
        1. 7.5.6.1 使用方法 1（寄存器提交）执行 EEPROM 编程
          1. 7.5.6.1.1 使用寄存器提交来写入 SRAM
          2. 7.5.6.1.2 对 EEPROM 进行编程
        2. 7.5.6.2 使用方法 2（直接写入）执行 EEPROM 编程
          1. 7.5.6.2.1 使用直接写入来写入 SRAM
          2. 7.5.6.2.2 EEPROM 中的用户可编程字段
      7. 7.5.7 读取 SRAM
      8. 7.5.8 读取 EEPROM
      9. 7.5.9 EEPROM 启动模式默认配置
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 器件启动序列
      2. 8.1.2 关断 (PDN) 引脚
      3. 8.1.3 电源轨时序、电源斜升速率和混合电源域
        1. 8.1.3.1 混合电源
        2. 8.1.3.2 上电复位 (POR) 电路
        3. 8.1.3.3 从单电源轨上电
        4. 8.1.3.4 从双电源轨上电
        5. 8.1.3.5 非单调或缓慢上电电源斜坡
      4. 8.1.4 XO 启动缓慢或延迟
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 优秀设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 电源旁路
      2. 8.4.2 器件电流和功耗
        1. 8.4.2.1 电流消耗计算
        2. 8.4.2.2 功耗计算
        3. 8.4.2.3 示例
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
      3. 8.5.3 热可靠性
        1. 8.5.3.1 支持高达 105°C 的 PCB 温度
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 TICS Pro
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VDD(1) 内核电源电压 3.135 3.3 3.465 V
VDDO_x(2) AC-LVDS/CML/LVPECL 或 HCSL 驱动器的输出电源电压 1.71 1.8、2.5、3.3 3.465 V
VDDO_x(2) 1.8V LVCMOS 驱动器的输出电源电压(3) 1.71 1.8 1.89 V
VIN 时钟和逻辑输入的输入电压范围 0 3.465 V
TJ 结温 135 °C
tVDD 电源斜坡时间(4) 0.01 100 ms
nEEcyc EEPROM 编程周期(5) 100 周期
(1) VDD 指所有内核电源引脚或电压。所有 VDD 内核电源都必须在内部上电复位 (POR) 之前上电。
(2) VDDO 指所有输出电源引脚或电压。VDDO_x 指特定输出通道的输出电源，其中 x 表示通道索引。
(3) 当 VDDO_x 为 1.8V±5% 时，LVCMOS 驱动器支持完全的轨到轨摆幅。当 VDDO_x 为 2.5V 或 3.3V 时，由于输出通道的内部 LDO 稳压器存在压降电压，LVCMOS 驱动器不会完全摆动到正轨。
(4) VDD 单调斜升至 2.7V 以上以实现正确内部上电复位的时间。  如果 VDD 斜升较慢或非单调，请将 PDN 保持为低电平，直到 VDD 电压有效为止。 
(5) nEEcyc 指定允许用于客户编程的最大 EEPROM 编程周期数。  由于生产测试，出厂编程周期的初始计数为非零值，但出厂编程周期不计入 nEEcyc 限制。  可从 8 位 NVM 计数状态寄存器 (NVMCNT) 中读取 EEPROM 编程周期总数，该寄存器对于每个成功的编程周期会自动递增 1。  如果客户超过 nEEcyc 限制范围，TI 无法确保 EEPROM 的耐用性。