ZHCSFC4E December   2015  – July 2025 HD3SS3220 , HD3SS3220L

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
      1. 6.1.1 电缆、适配器和直接连接器件
        1. 6.1.1.1 USB Type-C 插座和插头
        2. 6.1.1.2 USB Type-C 电缆
        3. 6.1.1.3 传统电缆和适配器
        4. 6.1.1.4 直接连接器件
        5. 6.1.1.5 音频适配器
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  DFP/供电端 – 下行端口
      2. 6.3.2  UFP/受电端 – 上行端口
      3. 6.3.3  DRP – 双角色端口
      4. 6.3.4  电缆方向和多路复用器控制
      5. 6.3.5  Type-C 电流模式
      6. 6.3.6  附件支持
      7. 6.3.7  音频附件
      8. 6.3.8  调试附件
      9. 6.3.9  针对有源电缆提供 VCONN 支持
      10. 6.3.10 I2C 和 GPIO 控制
      11. 6.3.11 HD3SS3220 V(BUS) 检测
      12. 6.3.12 VDD5 和 VCC33 上电要求
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 未连接模式
      2. 6.4.2 工作模式
      3. 6.4.3 电池无电
      4. 6.4.4 关断模式
    5. 6.5 编程
    6. 6.6 寄存器映射
      1. 6.6.1 器件标识寄存器（偏移 = 0x07 至 0x00）[复位 = 0x00、0x54、0x55、0x53、0x42、0x33、0x32、0x32]
      2. 6.6.2 连接状态寄存器（偏移 = 0x08）[复位 = 0x00]
      3. 6.6.3 连接状态和控制寄存器（偏移 = 0x09）[复位 = 0x20]
      4. 6.6.4 通用控制寄存器（偏移 = 0x0A）[复位 = 0x00]
      5. 6.6.5 器件修订版本寄存器（偏移 = 0xA0）[复位 = 0x02]
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用，DRP 端口
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 典型应用，DFP 端口
        1. 7.2.3.1 设计要求
        2. 7.2.3.2 详细设计过程
      4. 7.2.4 典型应用，UFP 端口
        1. 7.2.4.1 设计要求
        2. 7.2.4.2 详细设计过程
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 建议的 PCB 堆叠
      2. 9.1.2 高速信号布线长度匹配
      3. 9.1.3 差分信号间距
      4. 9.1.4 高速差分信号规则
      5. 9.1.5 差分对的对称性
      6. 9.1.6 过孔不连续性缓解
      7. 9.1.7 表面贴装器件焊盘不连续性缓解
      8. 9.1.8 ESD/EMI 注意事项
    2. 9.2 布局
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 商标
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.2.4.1 设计要求

对于这个设计示例，请使用表 7-3中显示的参数。

表 7-3 设计参数，UFP 端口
参数示例注释
VDD55V可使用来自 Type-C 端口的 VBUS。
I2C I/O 电源3.3V1.8V 也是一个选项。
使用 3.3V 电源时，客户必须确保 VDD5 至少为 3V。否则，I2C 可能会对器件反向供电
VCC333.3V允许 3V-3.6V 范围。
用于 SS 信号的交流耦合电容器100nF允许 75-200nF 范围。
仅适用于 TX 对，RX 对将由主机接收器偏置。请注意，HD3SS3220 需要 0-2V 的共模偏置电压。如果主机接收器的偏置电压超出此范围，则需要适当的额外交流耦合电容器和 HD3SS3220 RX 对的偏置电压。
上拉电阻器：DIR、INT_N200K可以使用较小的值，但在计算器件功率预算时需要考虑漏电流。
上拉电阻器：I2C4.7K
串联电阻器：VBUS_DET900K