由于内部寄生影响，MOSFET需要一定的时间才能完全打开和关断。当发生硬开关（Hard Switching）时，MOSFET开通电流上升和电压下降会产生交叠，带来瞬时开关损耗。此外，硬开关时快速的电压变化和电流变化会产生高频噪声，带来严重的EMI问题。为了解决上述缺陷，一些功率变换器会通过特定的设计手段，让MOSFET工作在零电压开通（ZVS）或零电流关断（ZCS）的软开关工作状态。

以LLC为例。在LLC的工作频率范围内，谐振腔相对原边呈感性负载，原边电流滞后于电压。在原边所有开关管均关闭的死区时间内，环流电流给MOSFET结电容（Coss）的充放电操作，可以使MOSFET电压在下一次开启之前下落至0V，实现ZVS。

图 1-1 详细阐述了LLC原边ZVS过程。子图（a）展示了死区时间内开关管的电压电流波形。子图（b）展示了死区时间内谐振电感电流ILR在原边内部的环流路径。为简便起见，图中只画出了全桥四个MOSFET的Coss电容和体二极管。当Qp1,3关闭，VHB1上的电压自初始值VS逐渐降低至0，同时VHB2上的电压自0V逐渐升高至VS。注意，图中IDS定义为MOS 漏源级端口电流，是沟道电流、体二极管电流和Coss电流之和。

完成Coss充放电所需的总时间TT为：

在t = TT后，结电容电荷完成转换，VHB1和VHB2都由Qp2和Qp4的体二极管钳位在-VD和VS+VD处（VD为体二极管导通压降），直到开关管再次打开。LLC原边ZVS的充分必要条件是：

1. MOSFET死区时间TD需大于TZ，以保证结电容电荷完全转移。
2. 桥臂电流需滞后于电压，且在死区时间内不能换向。

关于LLC的副边ZCS，根据其电路的特性，副边电流在重载时处于临界导通模式（BCM），中轻载时处于断续导通模式（DCM），因此在整流MOSFET开启和关断时电流均接近0或等于0，实现了零电流开通和零电流关断（ZCS）。