ZHCAG92 September   2026 LMG3526R030

 

  1.   1
  2.   摘要
  3. 1引言
    1. 1.1 软开关基本原理
    2. 1.2 软开关死区时间损耗
    3. 1.3 GaN应用的挑战
  4. 2基于ZVD的自适应死区时间控制
    1. 2.1 TI GaN ZVD功能
    2. 2.2 LLC原边自适应死区时间控制
    3. 2.3 LLC副边自适应死区时间控制
  5. 3PLECS仿真验证
  6. 4总结
  7. 5参考文献

LLC副边自适应死区时间控制

LLC副边自适应死区时间控制策略与原边类似。1.2节中讨论了电流型同步整流策略下的死区时间损耗,副边死区时间定义为副边相电流过零时刻与同步整流管开启时刻之间的差值。为了实现副边零死区时间损耗,根据公 式3 和公 式4 的分析,BCM场景下的死区时间需满足TD=TT,DCM场景下,死区时间近似等于0。使用2.2节中描述的控制方法,可以在BCM场景下将死区时间收敛至TD = TT+T3rd_ZVD,在DCM场景下收敛至TD = min(Tprop, TT)+T3rd_ZVD,其中Tprop为同步整流信号和真实电流过零点之间的传输延迟。

副边自适应死区时间控制亦能简化同步整流设计,可有效避免同步整流早开通导致的电流尖峰或震荡。图 2-4 展示了过短的死区时间(TD<TT),同步整流管non-ZVS开通引发的电流尖峰现象。当使用基于ZVD的自适应死区时间控制时,副边同步整流管均为ZVS开通,可以避免电流尖峰的出现。

 过短的副边同步整流死区导致出现电流尖峰 图 2-4 过短的副边同步整流死区导致出现电流尖峰