软开关技术虽然能大大避免硬开关所带来的交叠开关损耗，但由于MOSFET反向导通压降的存在，会在死区时间内引入一定的反向导通损耗。以LLC为例，原边ZVS死区时间内的损耗原理如 图 1-2 所示：

在t1时刻A桥臂（Qp1，3）开关管关闭，环路剩余电流流经开关管Coss，Vds电压进入换向状态。t2时刻所有开关管Vds完成换向，Coss电压被钳位，但由于B桥臂（Qp2，4）上未开通，因此环路剩余电流经体二极管继续流动，直到t3时刻B桥臂开通为止。因此在t2-t3区间内，会产生因体二极管导通所带来的损耗。这一损耗可以通过公式2 估算：

其中 V_D 为MOSFET体二极管压降， I_Lr 为串联谐振电感电流， T_D 为死区时间， T_T 为公 式（1） 中计算的转换时间，f_SW 为开关频率。在LLC拓扑中，死区时间内的 I_Lr 可以通过开关频率和励磁电感值计算。

LLC副边ZCS死区时间内的损耗原理如 图 1-3 所示：

图 1-3 中的示例采用电流控制的副边同步整流策略。在t1时刻，同步整流A桥臂（Qs1，3）电流下降至同步整流阈值It以下，因此A桥臂关断。t2是真正的B桥臂电流过零点。在t1-t3区间内，副边开关管Coss为A桥臂提供了低阻抗泄流路径，因此在这一时间内所有开关管Vds发生换向，直到t3时刻开关管电压被钳位，B桥臂（Qs2，4）电流由经过B桥臂体二极管回流。t3至t4时间段内，副边会产生第三象限死区时间损耗，可以通过公 式3 估算：

其中 I_TR 为副边电流，该电流大小与负载相关，T_T 为副边Coss换向所需的转换时间。为简化计算，公 式3 忽略了t1-t2时间段的影响。此外需要注意的是，在DCM模式下，B桥臂电流过零点t2会非常接近t3，此时的损耗可以通过公式4 近似估算：

在相同的死区时间和开关频率条件下，LLC的原边死区时间损耗与负载大小无关，副边死区时间损耗一般随负载变大而增加。因此在轻载条件下，原边死区时间损耗会成为不可忽略的因素。