ZHCAG92 September   2026 LMG3526R030

 

  1.   1
  2.   摘要
  3. 1引言
    1. 1.1 软开关基本原理
    2. 1.2 软开关死区时间损耗
    3. 1.3 GaN应用的挑战
  4. 2基于ZVD的自适应死区时间控制
    1. 2.1 TI GaN ZVD功能
    2. 2.2 LLC原边自适应死区时间控制
    3. 2.3 LLC副边自适应死区时间控制
  5. 3PLECS仿真验证
  6. 4总结
  7. 5参考文献

4 总结

本文介绍了GaN的第三象限特性，并深入探讨了GaN在软开关拓扑中的死区时间损耗产生原理。提出了一种基于TI GaN ZVD技术的自适应死区时间调整机制，能够自适应优化LLC/CLLC拓扑原副边死区时间，降低死区时间损耗，将GaN器件高反向导通电压所带来的不利影响降至最低。