一些电源产品会使用自适应死区补偿来减小GaN过高的反向导通压降带来的死区时间损耗，通常有如下方法：

1. 电压检测法：测量桥臂电压或单管VDS，间接检测FET Coss充放电状态，在达到特定阈值后，认为软开关完成。这种方式最为直接，精度最高，但需要额外的运放或比较器电路，抗干扰能力也较差。
2. 电流检测法：测量谐振腔电流，通过公式或查表法，计算此时的理论死区时间。这种方式是间接判断软开关，精度有限，在实际使用中要留够一定余量。

TI新一代GaN产品提供了零电压检测（ZVD）功能，该功能提供了一个ZVD数字信号，能够指示GaN在开关周期中是否实现 ZVS。可以基于ZVD功能设计自适应死区时间控制算法，将死区时间损耗降低至合理范围内，有助于简化系统自适应死区时间补偿设计。

以LMG3526为例，其ZVD原理如 图 2-1 所示。当输入信号（IN）变为高电平时，内部逻辑会检查器件是否在该开关周期中实现了ZVS。一旦识别了特定条件的 ZVS事件，在 TDL_ZVD 的延迟时间之后，将从 ZVD 引脚发出一个宽度为 TWD_ZVD 的ZVD信号脉冲。

需要注意的是，并不是每次ZVS都会触发ZVD，ZVD信号触发需要满足一定的第三象限导通时间（T3rd_ZVD）。若ZVS时刻IDS电流刚刚过零，未进入第三象限导通或进入第三象限导通的时间不足，则不会触发ZVD信号。

图 2-2 展示了LMG3526的ZVD时序图。更详细地解释了ZVD信号的触发条件。

图中T3rd_ZVD为最小第三象限导通时间，若第三象限导通时间低于该值，器件将无法检测到ZVD。TDL_ZVD为LMG3526输入引脚（IN）上升沿与ZVD信号输出上升沿的延迟。TWD_ZVD为ZVD信号的保持时间。输入引脚信号变为高电平时，逻辑电路会检查器件 VDS 是否已达到 0V 以下，以便确定器件是否在该开关周期中实现了零电压开关。一旦识别了 ZVS，在 TDL_ZVD 的延迟时间之后，将从 ZVD 引脚发出一个宽度为 TWD_ZVD 的脉冲输出。

需要注意的是，IN上升沿与内部GaN FET 栅极电压上升沿还存在一个开通延迟（td(ON)），由于td(ON)的存在，图 2-2 内VDS结束第三象限导通的时刻相比IN上升沿更晚发生。