2 LEV 的栅极驱动器

LEV 的设计包含多个元件。性能可能取决于直流/直流转换器系统、电池组或者 LEV 的电机驱动级的设计选择。这些子系统各个都有栅极驱动器帮助驱动的电源开关。开关负责执行实际的开关操作，处理大部分功率传送，可以是 MOSFET、IGBT、SiCFET 或 GaNFET。最后，栅极驱动器位于控制器和开关之间，栅极驱动器的驱动强度可以决定开关的导通或关断速度，并且减少开关损耗以提高系统效率。

如果电源开关是接地，则利用低侧驱动器。TI 提供单通道或双通道低侧驱动器，指示栅极驱动器运行一个还是两个接地开关。半桥驱动器运行一个接地开关，以及另一个采用具有浮动电压的开关节点 的开关。如何选择合适的栅极驱动器取决于 LEV 电池电压的类型和特性、系统要求及其他设计元件。

TI 的栅极驱动器具有非隔离式和隔离式型号。隔离式驱动器为跨高压差使用提供了一个屏障，可以保护元件和人员。非隔离式栅极驱动器在没有此类差分驱动器时使用，或与外部隔离器一起使用，以便优化系统。根据系统中电源开关的位置（接地或参考浮动电压），不同类型的 TI 栅极驱动器为这些 FET 提供服务。

LEV 的电池电压决定了所需的半桥总线电压，因为许多制造商在电压电源上享有裕量。对于 12V 或 48V 电池，许多设计工程师想要使用额定电压为 107V 或 120V VHB 的半桥驱动器，例如 LM2105 或 UCC27301A-Q1；对于 96V 电池，需要使用额定电压为 230V VHB 的半桥驱动器，例如 UCC27834-Q1。UVLO 和过流保护等功能有助于保护开关免受意外损坏，改善系统效率，并提高系统可靠性。为系统选择最合适的栅极驱动器有助于充分利用其他所有元件，确保经济实惠地实现高性能。