UCC27444-Q1
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 每个通道具有 4A 的典型峰值拉取和灌入驱动电流
- INA 和 INB 输入引脚能够处理 -5V 的电压
- 绝对最大 VDD 电压为 20V
- 宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 18V
- 具有两个独立的栅极驱动通道
- 针对每个输出提供独立的使能功能
- 快速传播延迟（典型值为 18ns）
- 快速上升和下降时间（典型值为 11ns 和 7ns）
- 两个通道之间的延迟匹配时间典型值为 1 ns
- SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD™ 封装选项
- 工作结温范围：–40°C 至 125°C
UCC27444-Q1 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET 和 GaN 电源开关。UCC27444-Q1 的典型峰值驱动强度为 4A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 18ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。
UCC27444-Q1 可在 INx 输入端处理 -5V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。输入可以连接至大多数控制器输出，以便实现更大的控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。发生系统故障时，栅极驱动器可以通过拉低使能端来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极都存在噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。该器件凭借其瞬态反向电流和反向电压能力，能够承受功率器件或脉冲变压器的栅极噪声，并避免驱动器故障。
UCC27444-Q1 还具备低电压运行和上电复位 (POR) 功能，可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来全面增强功率器件时，强大的内部下拉 MOSFET 使栅极驱动器输出保持在低电平。
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设计与开发
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评估板
UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 具有使能端的双路 4A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块 (EVM)
UCC2742xQ1 EVM 是一款高速双 MOSFET 评估模块，提供了用于快速、轻松启动 UCC2742xQ1 驱动器的测试平台。评估模块由 4V 至 15V 外部单电源供电，配有一整套测试点和跳线。所有器件均采用单独的输入和输出线路，且共享一个公共接地。评估模块具备使能 (ENBL) 功能，旨在更好地控制驱动器应用的运行，器件的驱动器信号可通过同一使能引脚启用或禁用。
用户指南:
PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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