ZHCAFF7 June 2025 LMK3H0102-Q1
电磁干扰 (EMI) 是外部源对电路造成的不利干扰。EMI 可以分为传导或辐射。传导 EMI 是由寄生阻抗、电源和接地连接引起的一种传导耦合。辐射 EMI 是来自无线电传输的无用信号的耦合。本报告重点讨论辐射 EMI。
LMK3H0102-Q1 是一款时钟发生器,最多能够替换五个 LVCMOS 振荡器 (XO)。该器件使用内部 BAW 振荡器作为基准,同时使用两个小数输出分频器,最多可应用于两个频域(图 1-1)。通过使用 BAW 技术,与石英振荡器 (表 1-1) 相比,LMK3H0102-Q1 可以提供更高的灵活性和时钟稳定性。
| 参数 | BAW 技术 | 石英振荡器技术 |
|---|---|---|
| 频率灵活性 | BAW 振荡器器件通过件单个裸片支持多种频率 | 频率限制。不同频率需要不同的晶体。 |
| 温度稳定性 | BAW 在 -40°C 到 +105°C 范围内的精度为 ±10ppm | ppm 稳定性随温度升高而升高。 |
| 振动灵敏度 | BAW 符合 MIL_STF_883F 方法 2002 条件 (典型值为 1ppb/g) | 通常无法通过 MIL-STD 可能高达 >10ppb/g |
| 机械冲击 | BAW 符合 MIL_STD_883F 方法 2007 条件 B | 通常无法通过 MIL-STD 可能会在 2,000g 时发生故障 |
当多个振荡器被时钟发生器(例如 LMK3H0102-Q1)替代时,通常需要更长的 PCB 布线才能到达各种终端器件。与使用多个振荡器(可放置在靠近每个终端器件的位置)相比,使用更长的布线进行时钟发生器布线会导致 EMI 性能变差。
本应用手册旨在减少 LMK3H0102-Q1 的 EMI 问题,并展示了可提高 EMI 性能的不同布局技术。