3 设计步骤

1. 添加 EEPROM 仿真库。MSPM0 软件开发套件 (SDK) 包含 EEPROM 仿真库。
   注： EEPROM 仿真库基于闪存 API，因此也需要 SDK 中的 drivelib。
   对于 B 型，需要包含以下文件：
   1. eeprom_emulation_type_b.c
   2. eeprom_emulation_type_b.h
   图 3-1 EEPROM 仿真文件
2. 在 eeprom_emulation_type_b.h 代码中添加包含路径。

   用户可以修改 eeprom_emulation_type_b.h 中的起始地址、组数（至少两个）和一个组中的扇区数（至少一个）。用于 EEPROM 仿真的默认闪存地址为 0x00001400，默认使用六个扇区（分三组，每组两个扇区），因此占用 0x00001400-0x00002bff。

   1. #define EEPROM_EMULATION_ADDRESS (0x00001400)
   2. #define EEPROM_EMULATION_GROUP_ACCOUNT (3)
   3. #define EEPROM_EMULATION_SECTOR_INGROUP_ACCOUNT (2)
3. 添加 initialize 函数（在 main() 开头），通常在 SYSCFG_DL_init() 之后。这样就可以正确格式化相关的闪存区域并正确分配全局变量，以跟踪活动组和最新数据项。
   • EEPROMEmulationState = EEPROM_TypeB_init();
   图 3-2 EEPROM 仿真初始化
4. 使用 EEPROM_TypeB_write 通过 16 位标识符写入 32 位数据。
   • EEPROMEmulationState = EEPROM_TypeB_write(var_id, var_data);
   图 3-3 EEPROM 仿真写入
5. 使用 EEPROM_TypeB_readDataItem 根据输入标识符读取数据。
   • var_data_read = EEPROM_TypeB_readDataItem(var_id);
   图 3-4 EEPROM 仿真读取
6. 根据 gEEPROMTypeBEraseFlag 添加擦除函数。再次写入数据之前需要擦除闪存，擦除的最小单位为扇区。对于 EEPROM 仿真 B 型，在一个组已满后，设置 gEEPROMTypeBEraseFlag。用户可以根据标志调用 EEPROM_TypeB_eraseGroup()。例如，在步骤 4 中的 EEPROM_TypeB_write() 之后添加以下代码。用户还可以根据需要选择一个适当的时间点来擦除整个组。
   • EEPROM_TypeB_eraseGroup();
   图 3-5 EEPROM 仿真擦除

完成步骤一到步骤六后，就在应用中实现了 EEPROM 仿真 B 型。请参阅 节 5 了解流程。