该子系统演示了如何在应用中实现电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 仿真（B 型）。EEPROM 仿真允许器件在闪存存储器中仿真 EEPROM，并使其具有与 EEPROM 等效的耐用性。使用闪存存储器可以实现以下功能：

• 意外断电后的数据保留
• 适用于不同应用的灵活结构
• 用户配置的擦除操作

下载该示例的代码。

MSPM0 有两种类型的 EEPROM 仿真库。A 型 是使用静态随机存取存储器 (SRAM) 缓冲器存储一个大型数据块（64 字节、128 字节或 256 字节）。有关库的详细信息，请参阅 EEPROM 仿真 A 型设计 应用说明。B 型 是存储许多带有项目标识符的小数据项（16 位或 32 位）。有关库的详细信息，也请参阅 EEPROM 仿真 B 型设计 应用说明。

该子系统展示了 B 型 的用法。有关 A 型 子系统的信息,请参阅带闪存的仿真 EEPROM（A 型） 子系统设计。

图 1-1 展示了该子系统的功能图。

此应用需要闪存。

根据表 2-1 中的要求，该示例与表 3-1 中列出的器件兼容。相应的 EVM 可用于原型设计。

1. 添加 EEPROM 仿真库。MSPM0 软件开发套件 (SDK) 包含 EEPROM 仿真库。
   注： EEPROM 仿真库基于闪存 API，因此也需要来自 SDK 的 drivelib。
   对于 B 型，需要包含以下文件：
   1. eeprom_emulation_type_b.c
   2. eeprom_emulation_type_b.h
   图 4-1 EEPROM 仿真文件
2. 在 eeprom_emulation_type_b.h 代码中添加包含路径。

   用户可以修改 eeprom_emulation_type_b.h 中的起始地址、组数（至少两个）和一个组中的扇区数（至少一个）。用于 EEPROM 仿真的默认闪存地址为 0x00001400，默认使用六个扇区（分三组，每组两个扇区），因此占用 0x00001400-0x00002bff。

   1. #define EEPROM_EMULATION_ADDRESS (0x00001400)
   2. #define EEPROM_EMULATION_GROUP_ACCOUNT (3)
   3. #define EEPROM_EMULATION_SECTOR_INGROUP_ACCOUNT (2)
3. 在 main() 的开头添加初始函数，通常在 SYSCFG_DL_init() 之后。这样就可以正确格式化相关的闪存区域并正确分配全局变量，以跟踪活动组和最新数据项。
   • EEPROMEmulationState = EEPROM_TypeB_init()；
   图 4-2 EEPROM 仿真初始化
4. 使用 EEPROM_TypeB_write 通过 16 位标识符写入 32 位数据。
   • EEPROMEmulationState = EEPROM_TypeB_write(var_id, var_data)；
   图 4-3 EEPROM 仿真写入
5. 使用 EEPROM_TypeB_readDataItem 根据输入标识符读取数据。
   • var_data_read = EEPROM_TypeB_readDataItem(var_id)；
   图 4-4 EEPROM 仿真读取
6. 根据 gEEPROMTypeBEraseFlag 添加擦除函数。再次写入数据之前需要擦除闪存，擦除单位是扇区。对于 EEPROM 仿真 B 型，在一个组已满后，设置 gEEPROMTypeBEraseFlag。用户可以根据标志调用 EEPROM_TypeB_eraseGroup()。例如，在步骤四中的 EEPROM_TypeB_write() 之后添加以下代码。用户还可以根据需要选择一个适当的时间点来擦除整个组。
   • EEPROM_TypeB_eraseGroup()；
   图 4-5 EEPROM 仿真擦除

完成步骤一到步骤六后，就在应用中实现了 EEPROM 仿真 B 型。请参阅 节 6 了解流程。

1. eeprom_emulation_type_b.h 中有三个用户可配置的参数。可根据应用程序的要求相应地配置这些参数。要设置适当的参数，请参阅 EEPROM 仿真 B 型设计 应用说明中的应用方面 部分。
   1. 组数：至少 2 个
   2. 一个组中的扇区数：至少 1 个
   3. 扇区地址
2. 数据项的数量与组中的扇区数量直接相关。
   方程式 1. $\mathrm{Number\; of\; data\; items}=\frac{\mathrm{Sector\; size}}{\mathrm{Data\; item\; size}}\times \mathrm{Number\; of\; sectors\; in\; one\; group}-1$

   选择正确数量的数据项至关重要。关键是根据应用需要存储的变量数量进行选择。如果变量的数量接近数据项的数量，则在更新这些变量的值时会频繁进行转移。如果变量的数量远远少于数据项的数量，则意味着组的大小相对较大，并会在转移、擦除和搜索等操作中花费额外的时间。

   建议的标识符数量是最大数据项数的三分之一到一半。

3. 要评估闪存使用情况和耐写次数，请参阅 EEPROM 仿真 B 型设计 应用说明中的应用方面 部分。
4. 如果在 EEPROM_TypeB_write 或 EEPROM_TypeB_eraseGroup 期间断电，则可能会损坏数据。

   要检测损坏并从中恢复，请执行 EEPROM_TypeB_init。上电后立即调用 EEPROM_TypeB_init。EEPROM_TypeB_init 会检查所有组的标头，以确认 EEPROM 仿真的数据存储是否正确。

   在 EEPROM 仿真的结构中，标头可显示相应组的状态。一共有四种状态。节 4 中详细介绍了这四种状态之间的变化。

图 6-1 展示了 EEPROM 仿真 B 型 的代码流程图，其中介绍了如何在应用代码中添加函数以实现 EEPROM 仿真。这里需要三个函数：EEPROM_TypeB_init、EEPROM_TypeB_write、EEPROM_TypeB_readDataItem，以及 EEPROM_TypeB_eraseGroup。

总共有六个函数。前四个函数由用户直接调用。最后两个函数由以下函数调用。

• EEPROM_TypeB_init
• EEPROM_TypeB_write
• EEPROM_TypeB_readDataItem
• EEPROM_TypeB_eraseGroup
• EEPROM_TypeB_findDataItem
• EEPROM_TypeB_transferDataItem

以下两个全局变量用于跟踪活动组：

• uint16_t gActiveDataItemNum；
• uint16_t gActiveGroupNum；

gActiveDataItemNum 用于记录数据项的数量。

gActiveGroupNum 用于记录活动组。

有两个全局变量用于表示标志：

• bool gEEPROMTypeBSearchFlag；
• bool gEEPROMTypeBEraseFlag；

当 EEPROM_TypeB_readDataItem 根据输入标识符找到数据项时，会设置 gEEPROMTypeBSearchFlag。

当组已满且需要擦除时，会设置 gEEPROMTypeBEraseFlag。

所有全局变量都在 eeprom_emulation_type_b.c 中定义。

• 德州仪器 (TI)，EEPROM 仿真 A 型设计应用说明
• 德州仪器 (TI)，EEPROM 仿真 B 型设计应用说明
• 德州仪器 (TI)，带闪存的仿真 EEPROM（A 型）子系统设计
• 德州仪器 (TI)，下载 MSPM0 SDK
• 德州仪器 (TI)，详细了解 SysConfig