10 DDR 接口

AM62 支持连接到 DDR4 和 LPDDR4 器件。接下来必须对 DDR 信号进行布线。有关 DDR 布线的详细建议，请参阅 DDR 布线指南文档。下图展示了 AM62 板上 DDR 接口的 BGA 分线。DDR4 和 LPDDR4 的布线将类似的迂回与 LPDDR4 搭配使用，所需的信号数量较少。

DDR SDRAM 存储器器件通常采用以下布局：数据组焊球最靠近 AM62 器件。封装 BGA 焊球图经过精心规划，将 DDR 地址和命令信号放置在数据字节通道 1 和数据字节通道 0 之间。

图 10-1 和图 10-2 分别展示了如何迂回 DDR 字节通道 0 和 1。使用电镀穿孔 (PTH) 过孔使得这些信号可以在任何层上在 SoC 和 SDRAM 之间布线。图 10-3 中展示了 AM62 SK EVM 板上 DDR 数据字节通道布线示例。

地址、命令和时钟信号直接布线到存储器器件。此设计说明了在点对点拓扑中路由到 x16 DDR4 存储器，无 VTT 终端。如果使用 2 个 x8 DDR4 存储器器件，则地址、命令和时钟信号应采用具有适当 VTT 终端的飞越式布线。

顶部和内层用于地址和命令信号的迂回和布线。布线长度必须匹配，以确保信号同时到达存储器。SoC 与寄存器引脚之间的长度匹配必须单独进行，并且必须包括内存焊盘的存根和所有过孔长度。有关 DDR 布线的详细建议，请参阅 DDR 布线指南。

这些层上的地址和命令信号的迂回如图 10-4 所示。

地址信号直接从 SoC 布线到存储器器件相关焊盘旁边的过孔。这要求地址信号以正确的顺序迂回。每个地址和命令信号都需要具有相同数量的过孔。使用电镀穿孔 (PTH) 过孔可以灵活地在任何层上进行地址/命令信号布线。

图 10-5 展示了 AM62 SK EVM 板上 DDR4 地址、命令和时钟组布线的示例。