ZHCAEJ6 September   2024 TAS2120 , TAS2320

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2应用原理图
    1. 2.1 建议的元件额定值
    2. 2.2 参考原理图
  6. 3设计指南
    1. 3.1  VDD 引脚
    2. 3.2  PVDD 引脚
    3. 3.3  GREG 引脚
    4. 3.4  SW 引脚
    5. 3.5  VBAT 引脚
    6. 3.6  OUT_P 和 OUT_N 引脚
      1. 3.6.1 输出端的可选 EMI 滤波器
    7. 3.7  IOVDD 引脚
    8. 3.8  DREG 引脚
    9. 3.9  数字 I/O 引脚
    10. 3.10 接地引脚
    11. 3.11 HW 选择引脚
  7. 4EMI 特定指南
  8. 5总结
  9. 6参考资料

EMI 特定指南

PCB 布局设计可以显著提高 EMI 性能。本节提供了一些适用于 EMI 受限型应用的建议。

音频放大器产生的辐射发射主要来自输出 D 类开关。特别是对于 TAS2120 和 TAS2320,当 D 类开关从 0V 升至 VDD 电压轨时,在较低功率下的辐射也较低。随着输出功率的增加,当电压轨切换到 PVDD 时,辐射也会增加。在 PCB 布局设计过程中,请考虑以下建议以提高辐射发射性能。

  • 需要使用内层布置输出布线。建议在用于输出布线的层的顶部和底部使用 GND 屏蔽。
  • 仅当使用铁氧体或电感器和电容器等输出滤波器元件时,才使用顶层或底层。在焊盘上使用多个过孔,尽可能减少顶层或底层上的铜面积。
  • TAS2120 和 TAS2320 对 D 类输出具有边沿速率控制功能。为了获得出色的 EMI 性能,请将边沿速率配置为最慢设置 (0.5V/ns)。
  • 如果更多 EMI 受限系统需要 LC 滤波器,请参阅以下文档,进一步了解如何选择滤波器元件: