所选的 EZShunt™ 器件是在 25°C 下额定电流为 75A 的 INA780A，同时还使用 INA238 和以下电阻器组合，旨在计算外部和集成分流器设计之间的性能差异：

图 3-10 INA780A 与 INA238 + 电阻器 G 的比较

通过在两个不同的环境温度下对这两种设计进行比较，我们可以看到由超精密 INA238 和电阻器 G 组成的分立式设计（测量容差为 0.3%，漂移为 44.8ppm）在 25°C 和 125°C 下的精度均略高于高压 EZShunt™ 器件 INA780A。

图 3-11 INA780A 与 INA238 + 电阻器 H 的比较

在分立式设计中使用电阻器 H 时，我们可以看到 INA780A 在大约 0.1A 至 50A 的范围内具有高得多的精度和更小的总误差，而分立式设计在 0A 至大约 0.1A 的范围内具有略高的精度，在 25°C 和 125°C 的温度条件下均是如此。这可归因于电阻器 E 在系统上产生的容差百分比为 4.49%（测量值）。

图 3-12 INA780A 与 INA238 + 电阻器 I 的比较

根据该数据集，采用更优质的电阻器 I 提供 0.4% 的容差误差和 3.6ppm 的漂移，由 INA238 和电阻器组成的分立式设计可在 25°C 和 125°C 下提供比 INA780A 设计更高的精度。