ZHCADH3 December   2023 MSPM0C1104 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1228

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1MSPM0 产品系列概述
    1. 1.1 引言
    2. 1.2 STM8 MCU 与 MSPM0 MCU 的产品系列比较
  5. 2生态系统和迁移
    1. 2.1 生态系统比较
      1. 2.1.1 MSPM0 软件开发套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 MSPM0 支持的 IDE
      3. 2.1.3 SysConfig
      4. 2.1.4 调试工具
      5. 2.1.5 LaunchPad
    2. 2.2 迁移过程
      1. 2.2.1 步骤 1.选择合适的 MSPM0 MCU
      2. 2.2.2 步骤 2.设置 IDE 和 CCS 简介
        1. 2.2.2.1 设置 IDE
        2. 2.2.2.2 CCS 简介
      3. 2.2.3 步骤 3.设置 MSPM0 SDK 和 MSPM0 SDK 简介
        1. 2.2.3.1 设置 MSPM0 SDK
        2. 2.2.3.2 SDK 简介
      4. 2.2.4 步骤 4.软件评估
      5. 2.2.5 步骤 5.PCB 板设计
      6. 2.2.6 步骤 6.大规模生产
    3. 2.3 示例
  6. 3内核架构比较
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式存储器比较
      1. 3.2.1 闪存和 EEPROM 特性
      2. 3.2.2 闪存和 EEPROM 组织
        1. 3.2.2.1 闪存和 EEPROM 区域
        2. 3.2.2.2 MSPM0 的 NONMAIN 存储器
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 上电和复位总结和比较
    4. 3.4 时钟总结和比较
      1. 3.4.1 振荡器
      2. 3.4.2 时钟信号比较
    5. 3.5 MSPM0 工作模式总结和比较
      1. 3.5.1 工作模式比较
      2. 3.5.2 低功耗模式下的 MSPM0 功能
      3. 3.5.3 进入低功耗模式
      4. 3.5.4 低功耗模式代码示例
    6. 3.6 中断和事件比较
      1. 3.6.1 中断和异常
        1. 3.6.1.1 MSPM0 的中断管理
        2. 3.6.1.2 STM8 的中断控制器 (ITC)
      2. 3.6.2 MSPM0 的事件处理程序
      3. 3.6.3 事件管理比较
    7. 3.7 调试和编程比较
      1. 3.7.1 调试模式比较
      2. 3.7.2 编程模式比较
        1. 3.7.2.1 引导加载程序 (BSL) 编程选项
  7. 4数字外设比较
    1. 4.1 通用 I/O（GPIO、IOMUX）
    2. 4.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
    3. 4.3 串行外设接口 (SPI)
    4. 4.4 内部集成电路接口 (I2C)
    5. 4.5 计时器（TIMGx、TIMAx）
    6. 4.6 窗口化看门狗计时器 (WWDT)
  8. 5模拟外设比较
    1. 5.1 模数转换器 (ADC)
    2. 5.2 比较器 (COMP)
    3. 5.3 电压基准 (VREF)

3.2.1 闪存和 EEPROM 特性

MSPM0 和 STM8 系列 MCU 具有非易失性闪存，EEPROM 存储器用于存储可执行程序代码和应用数据。表 3-2 显示了闪存和 EEPROM 的特性。请注意，并非所有器件都具有所有功能。相关详细信息，请参阅器件特定数据表。

表 3-2 闪存和 EEPROM 的特性
特性 STM8L 和 STM8S MSPM0L 和 MSPM0C
闪存 STM8Lxx 范围 2KB 至 64KB
STM8Sxx 范围 4KB 至 128KB		 MSPM0Lxx 范围 8KB 至 64KB
MSPM0Cxx 8KB 或 16KB
EEPROM 高达 2 KB 使用闪存的 EEPROM 仿真
存储器组织 块大小 (64B/128B)
页大小（一组块）		 字线 (128B)
扇区大小 (1KB)
存储体大小（可变）：器件高达 256KB-1bank
等待状态 0 (fCPU ＜ 16MHz)
1 (fCPU ＞ 16MHz)		 0（MCLK、CPUCLK ＜ 24MHz）
1（MCLK、CPUCLK ＜ 48MHz）
单字大小 32 位 64 位（使用 ECC 时为 72 位）
编程模式 字节，单闪存字，块 分辨率 单闪存字、32 位、16 位或 8 位
多字 2、4 或 8 个字（最多 64 个字节）
擦除 块擦除 扇区擦除
存储体擦除（最大 256KB）

错误码纠正

 支持 支持
写保护 是 是，静态和动态
读保护 是 是
擦除/写入周期 程序存储器 100 100K（下部 32 KB）或 10k（上部 32 KB）
数据存储器 100k

除了上表中列出的闪存功能外，MSPM0 闪存还具有以下功能：

  • 在整个电源电压范围内支持电路内编程和擦除操作。

  • 内部编程电压生成。