ZHCADD0 November   2023 TMAG5170D-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2径向磁体方法
    1. 2.1 径向磁体方法的错误和冗余
    2. 2.2 传感器偏移结果
    3. 2.3 磁体倾斜结果
    4. 2.4 磁体偏移结果
    5. 2.5 磁体直径结果
  6. 3轴向磁体方法
    1. 3.1 轴向磁体方法的误差和冗余
    2. 3.2 偏移结果
  7. 4总结
  8. 5参考资料

传感器偏移结果

设计的一项指标是根据传感器测量结果计算出的角度与器件位于预期位置时的预期角度的误差。放置偏移会导致计算出的误差与预期的误差不同,因此需要根据误差的大小和所需的精度来进行校准。图 2-8图 2-9 显示了因传感器沿 x 和 y 轴偏移而导致的误差程度。理想的传感器位置被视为以磁体 z 轴为中心,位于两个传感器 z 偏移的平均值处。

GUID-20230801-SS0I-H14Q-DCXS-QKSX1FBSCXTC-low.svg图 2-7 不同传感器 Z 偏移下堆叠芯片绝对角度误差与传感器 X 或 Y 偏移间的关系
GUID-20231031-SS0I-0J5T-6HDH-6WS9GPXWZCQG-low.svg图 2-8 不同传感器 Z 偏移下并排芯片绝对角度误差与传感器 X 偏移间的关系
GUID-20230803-SS0I-GTGL-VTWR-X5XSSBRG5QNW-low.svg图 2-9 不同传感器 Z 偏移下并排芯片绝对角度误差与传感器 Y 偏移间的关系

图 2-7 表明沿 x 或 y 轴的 ±1.5mm 偏移会导致堆叠芯片器件的误差 <1°,并且两个感应元件观察到的误差几乎相同,这与图 2-8 中并排感应元件观察到的误差形成了对比。根据偏移方向,与理想测量的偏差为 1.5°。此外,两个感应元件表现出镜面对称性,这会影响两个芯片之间计算角度的测量差值标准偏差或最大测量差值,这两者都是双传感器器件冗余的重要指标。在该应用中,期望根据测得的 Bx 和 By 磁场得出的测量角度相同。测量角度之间的任何差异都会构成误差。除非误差是均匀的并且适用于所有可能的可测量点,否则标准偏差小于最大差值,而较小的标准偏差表示数据差异往往较小。图 2-10 显示了堆叠芯片的差分角测量标准偏差,而图 2-11图 2-12 显示了并排芯片的标准偏差。

图 2-13 显示了堆叠芯片角度测量的最大差值,而图 2-14图 2-15 显示了并排芯片角度测量的最大差值。

GUID-20230807-SS0I-JNSW-RCB5-RFMQB54W23KQ-low.svg图 2-10 不同传感器 Z 偏移下堆叠芯片差值标准偏差与传感器 X 偏移间的关系
GUID-20230803-SS0I-8F9X-VVLW-C2JLFKKCFFKV-low.svg图 2-11 不同传感器 Z 偏移下并排芯片差值标准偏差与传感器 X 偏移间的关系
GUID-20230803-SS0I-8QTC-BC24-XLHKPTTBJGJH-low.svg图 2-12 不同传感器 Z 偏移下并排芯片差值标准偏差与传感器 Y 偏移间的关系

图 2-10 表明,即使在最坏的 x 偏移情况下,完整 360 度旋转中计算出的大部分角度都在理想角度的 0.01 度范围内。或者,对于图 2-13图 2-12 中显示的并排配置,标准偏差接近 1°。

GUID-20230801-SS0I-FLGF-V1K4-TDZGTKHPDLS6-low.svg图 2-13 不同传感器 Z 偏移下堆叠芯片最大差值与传感器 X 或 Y 偏移间的关系
GUID-20230803-SS0I-H4XX-XG4S-NF3JGTPXDDPF-low.svg图 2-14 不同传感器 Z 偏移下并排最大差值与传感器 X 偏移间的关系
GUID-20230803-SS0I-DJZB-ZMVT-PQC1T0XCLWBH-low.svg图 2-15 不同传感器 Z 偏移下并排最大差值与传感器 Y 偏移间的关系

图 2-13 说明了堆叠芯片角度计算的最大差值比图 2-14图 2-15 中所示的并排芯片角度计算的最大差值小 100 倍。