ZHCACT5B June   2023  – May 2026 AFE11612-SEP , INA951-SEP , OPA4H199-SEP

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 LDMOS 和 GaN 功率放大器 FET PA 基础知识
  5. 2 VGS 补偿
  6. 3 时序控制
  7. 4 集成 PA 偏置解决方案
  8. 5 GaN PA 的负偏置
  9. 6 TDD 应用的快速开关
  10. 7 VDRAIN 开关电路
  11. 8 受控栅极时序控制电路
  12. 9 VDRAIN 监控
  13. 10IDQ 监控
  14. 11外部负电源监控
  15. 12PA 温度监控
  16. 13总结
  17. 14参考资料
  18. 15修订历史记录

13 总结

功率放大器行为的细微差别使得分立式 VGS 补偿解决方案复杂且成本高昂。AFE11612-SEP 在简化解决方案的同时，增加了用于启动和关断时序控制的栅极监控、VDRAIN 监控、温度监控以及电源崩溃检测等有益特性，因此物超所值。

表 13-1 器件建议
器件优化参数电离辐射总剂量 (TID) 特征值单粒子锁定 (SEL) 特征值
AFE11612-SEP具有 16 路 12 位 ADC 输入的航天增强型 12 路 12 位 DAC。20krad(SI)在 125°C 下的抗扰度为 43MeV-cm2/mg
OPA4H199-SEP航天增强型高电压四路输出运算放大器。30krad(SI)在 125°C 下的抗扰度为 43MeV-cm2/mg
INA951-SEP 航天增强型、–4V 至 80V、1.3MHz 电流检测放大器 30krad(SI) 在 125°C 下的抗扰度为 43MeV-cm2/mg