ZHCACT5B June   2023  – May 2026 AFE11612-SEP , INA951-SEP , OPA4H199-SEP

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 LDMOS 和 GaN 功率放大器 FET PA 基础知识
  5. 2 VGS 补偿
  6. 3 时序控制
  7. 4 集成 PA 偏置解决方案
  8. 5 GaN PA 的负偏置
  9. 6 TDD 应用的快速开关
  10. 7 VDRAIN 开关电路
  11. 8 受控栅极时序控制电路
  12. 9 VDRAIN 监控
  13. 10IDQ 监控
  14. 11外部负电源监控
  15. 12PA 温度监控
  16. 13总结
  17. 14参考资料
  18. 15修订历史记录

2 VGS 补偿

IDS 取决于 PA 的温度。由热漂移导致的 IDS 变化需要通过调整系统中其他两个变量之一来补偿 PA：VDRAIN 或 VGS。尽管在不同的射频应用中调整 VDRAIN 的原因有很多，但与 VDRAIN 电压的变化相比，输出功率的响应非常低，如图 1-2 所示。调整 VGS 可实现更快的响应时间和输出功率总振幅，因此更适用于温度补偿和其他应用。

GaN PA VGS 偏置电压与温度间的关系（保持恒定的 IDS）图 2-1 GaN PA VGS 偏置电压与温度间的关系（保持恒定的 IDS）

图 2-1 展示了需要调整 VGS 以确保在热漂移情况下具有静态 IDS。使用这些 PA 的应用需要实施此类补偿，从而确保严格控制天线系统的功率。VGS 补偿可通过测量 PA 温度或使用分流器测量 IDS 并相应地调整 VGS 来实现。