3 航天级电源器件

TI 先进的功率密度 IC 产品系列能够通过一系列降压转换器、LDO、DDR 终端稳压器和 PWM 控制器提供完整的电源管理设计，如下表所示。

TPS7H4001-SP 和 TPS7H4003-SEP 是具有集成 FET 的高电流 18A 降压转换器，其主要特性是能够在不需要外部时钟的情况下以 90 度的角度并联多达 4 个器件，从而满足对内核电压轨上更高电流的日益增长的需求。0.6V 基准电压使其能够满足该电源轨常见的低压要求。TPS50601A-SP 是一款小型 6A 高效降压转换器，传承了十年以上的航天飞行技术，可用于为许多辅助电源轨供电。封装兼容的 TPS7H4002-SP 还可用于为辅助电源轨供电，因为它在架构上与 TPS50601A-SP 非常相似，具有较低的电流限制以实现更小的电感器尺寸。对于类似的 6A 抗辐射设计，TPS7H4010-SEP 提供了一个采用 4x6mm WQFN 封装的极其紧凑的设计，并且是 32V_in 下最宽的 V_in 航天级开关稳压器。

RHA 降压转换器的建议工作电压限制为 7V_in。如果设计人员需要适应更高的输入电压，可使用 TPS7H5001-SP PWM 控制器构建分立式降压转换器。这款高度灵活的控制器搭配栅极驱动器，能够与 Si 和 GaN FET 配合使用，以用作第一级转换或在直接为内核电压轨供电的高效 GaN 电源中使用。具有 +0.7%/-1.0% 基准精度的 0.6V 基准可提供非常小的容差以满足内核电压要求。

对于噪声敏感型电源轨，TI 可提供多种低压降稳压器。TPS7H1101A-SP 提供高度集成的设计，具有使能端、可配置软启动和电源正常指示功能，可用于电源时序，并增加了电流折返保护等保护功能。作为抗辐射替代产品，TPS73801-SEP 提供了可在其宽输入范围 (2.2V - 20V_in) 内使用的用途广泛的 LDO，采用 6.5mm x 3.5mm 的小型塑料 SOT 封装。TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP 可用作需要高 PSRR 和噪声性能的应用的替代产品。

最后，针对为 DDR 存储器供电，TPS7H3301-SP 或 TPS7H3302-SEP 是能够灌入和拉出电流的线性设计，能够为 DDR1、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 供电。您可以使用下表中的链接转至每个器件的产品页面，了解更多特定于产品的信息。

有关设置、时序控制和测量的更多详细信息，请参阅应用手册：适用于 Microsemi® RTG4™ FPGA 的 TI 航天级电源解决方案。