在输入期间打开 MOSFET Q1 时，电池反向情况可解决节 2.3.1 中提到的难题。图 2-5 显示了用以在电池反向情况下打开 MOSFET Q1 的 TPS12110-Q1 应用电路。

根据图 2-5 中所示的应用电路，可以在输入电池反向条件下打开 MOSFET Q1。在输入电池反向条件下，MOSFET Q1 的源极跟随输入反向电压。在此情况下，D5、R3、R4 路径会导通并打开 Q4，然后关闭 Q3。Q3 是一个信号 N-FET，用于在输入电池反向情况下将 Q1 的源极与器件 SRC 引脚断开。R6、R5、D4 路径会导通并打开 Q2。D1 的阳极通过 Q2 连接到 GND。Q1 的栅极电压被拉至 D1 (-1V) 的 VF，源极端子被拉至负 VIN 减去 Q1 的体二极管压降 (-14V+1V = -13V)。这导致 -1V-(-13V) = 12V 的 VGS 驱动打开 MOSFET Q1，负载电流通过 MOSFET Q1 的 RDSON。

在 D2 的帮助下，通过断开 GND 来使 TPS1211-Q1 受到保护。D3 置于 IMON 电阻器的顶部。通过这种布置，IMON 信号不会包括 D3 压降。

在正 VIN 电平下的正常运行期间，Q2 和 Q4 关断。Q3 由 TPS1211-Q1 的 BST 驱动器打开，将 MOSFET Q1 的源极连接到 TPS1211-Q1 的 SRC 端子。二极管 D1 与 GND 断开连接。

图 2-6 显示了 -14V 汽车电池反向测试期间上述应用电路的波形。如图所示，在该测试期间，MOSFET Q1 导通，因为栅极到源极处于大约 12V 电平。使用了以下物料清单元件。

• D1、D2、D3、D4、D5 = BAS40H,115
• Q2 = MMBT3906WT1G
• Q3 = PMV60ENEAR
• Q4 = MMBT3904WT1G
• R1、R4、R6 = 10kΩ
• R2 = 100kΩ
• R3、R5 = 1kΩ