图 2-4 显示了用于驱动加热器负载的 TPS12110-Q1 应用电路。可以向 INP 引脚施加 PWM 信号，以控制负载的导通或关断持续时间。

由于电源路径中没有反向阻断 MOSFET，因此在电池反向情况下，有反向电流从 PGND、负载、MOSFET Q1 体二极管流向电池，如图 2-4 所示。

在这种情况下，MOSFET Q1 会出现高功率耗散，并会因体二极管上的过热和电流应力而损坏。添加反向阻断 MOSFET 可作为一种技术设计，用以避免这种应力并保护 MOSFET Q1。但是，诸如 RDSON、额定电流等阻断 MOSFET 特性必须与 MOSFET Q1 相同。此设计使功率级的成本增加了一倍，并增加了设计尺寸，这在高电流系统设计中是不可接受的。