在汽车系统中，车身电机等负载可能会将能量传递回输入电源，并且需要反向过流保护。图 2-2 显示了基于背对背 MOSFET（Q1 和 Q2）的 TPS12111-Q1 典型应用电路，用于设计适用于车身电机负载的安全断开开关。

预充电电阻 R₃ 和 MOSFET Q3 构成了输出电容 C_(BULK) 的充电路径。在高电流设计中，预充电路径通常用于将主 FET Q1 和 Q2 并联的系统设计。Q1 MOSFET 用于在过流、短路和欠压等系统故障期间断开负载。

若没有 MOSFET Q2，在输入电池反向条件下，由于 PGND、电机桥 MOSFET 和 MOSFET Q1 形成的闭合电路，将产生非常高的反向电流。这种高电流受电路寄生效应的限制，可能会损坏电机桥、MOSFET Q1 和 PCB 引线。在这种情况下，使用 MOSFET Q2 来阻断反向电流，因为 TPS12111-Q1 将 PD 拉至 SRC，以使 Q2 保持关断状态。

需要使用二极管 D1 和电阻器 R₄ 来保护 TPS12111-Q1 在电池反向情况下不受反向电流注入的影响。二极管 D1 会向控制输入信号以及阈值设置添加失调电压，以检测欠压故障情况。

如图 2-3 所示，用断开开关 Q4 替换 D1 和 R4 电路可以消除该失调电压。D1 是一个栅极钳位齐纳二极管，其 Vz 低于 Q4 的 VGS 绝对最大额定值。