ZHCACJ1 april   2023 MSPM0G3507

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 EEPROM 与片上闪存的区别
  4. 2实现
    1. 2.1 原理
    2. 2.2 标头
  5. 3软件说明
    1. 3.1 软件功能和流程
    2. 3.2 EEPROM 函数
      1. 3.2.1 全局变量
      2. 3.2.2 EEPROM_TypeB_readDataItem
      3. 3.2.3 EEPROM_TypeB_findDataItem
      4. 3.2.4 EEPROM_TypeB_write
      5. 3.2.5 EEPROM_TypeB_transferDataItem
      6. 3.2.6 EEPROM_TypeB_eraseGroup
      7. 3.2.7 EEPROM_TypeB_init
    3. 3.3 应用集成
    4. 3.4 EEPROM 仿真存储器占用空间
    5. 3.5 EEPROM 仿真时序
  6. 4应用方面
    1. 4.1 可配置参数的选择
      1. 4.1.1 数据项数
      2. 4.1.2 耐写次数
    2. 4.2 断电恢复
  7. 5参考文献

4.1 可配置参数的选择

eeprom_emulation_type_b.h 中有三个用户可配置的参数。可根据应用程序的要求相应地配置这些参数。

  • 组数：至少 2 个
  • 一个组中的扇区数：至少 1 个
  • 扇区地址

仅配置组数时，可以在图 4-1 中看到变化。当仅配置一个组中的扇区数时，可以在图 4-2 中看到变化。这两种配置方法都将增加所用的闪存区域，从而增加耐写次数。但配置组数时，最大数据项数不会改变。配置一个组中的扇区数时，最大数据项数将相应地改变。

GUID-325DB855-1467-4F2B-B306-2FCED2C58BC6-low.png图 4-1 仅配置组数时的结构变化
GUID-FC68FDA1-EA25-448B-90C7-848B625EEEF3-low.png图 4-2 仅配置一个组中的扇区数时的结构变化