ZHCACJ1 april   2023 MSPM0G3507

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 EEPROM 与片上闪存的区别
  4. 2实现
    1. 2.1 原理
    2. 2.2 标头
  5. 3软件说明
    1. 3.1 软件功能和流程
    2. 3.2 EEPROM 函数
      1. 3.2.1 全局变量
      2. 3.2.2 EEPROM_TypeB_readDataItem
      3. 3.2.3 EEPROM_TypeB_findDataItem
      4. 3.2.4 EEPROM_TypeB_write
      5. 3.2.5 EEPROM_TypeB_transferDataItem
      6. 3.2.6 EEPROM_TypeB_eraseGroup
      7. 3.2.7 EEPROM_TypeB_init
    3. 3.3 应用集成
    4. 3.4 EEPROM 仿真存储器占用空间
    5. 3.5 EEPROM 仿真时序
  6. 4应用方面
    1. 4.1 可配置参数的选择
      1. 4.1.1 数据项数
      2. 4.1.2 耐写次数
    2. 4.2 断电恢复
  7. 5参考文献

1.1 EEPROM 与片上闪存的区别

EEPROM 可以多次擦除和写入存储器的单个字节，即使系统断电，已编程的位置也能长时间保留数据。

闪存的密度高于 EEPROM，因此可以在芯片上实现更大的存储器阵列（扇区）。闪存擦除/写入周期是通过对各个存储单元施加时控电压来执行的。在擦除时，每个单元（位）读取逻辑值 1。因此，每个闪存位置在擦除后的读数为 0xFFFF。通过编程可以将存储单元更改为逻辑 0。可以重写任何字，将位从逻辑 1 更改为逻辑 0；但反过来则不行。此外，闪存有一项限制是必须按区域擦除存储器。对于 MSPM0 MCU，擦除分辨率是大小为 1k 字节的扇区。

EEPROM 与闪存的一个主要区别是耐写次数。闪存耐写次数通常为 10000 次，远低于实际 EEPROM。EEPROM 仿真是一种基于闪存的软件，旨在提供可满足应用需求的等效耐写次数。闪存还会仿真 EEPROM 的行为，从而简化读写数据的操作。

典型的仿真方案涉及使用闪存的一部分并将其划分成多个区域。这些区域交替用于存储数据。由于闪存需要按块进行擦除，因此必须保留完整的闪存扇区用于 EEPROM 仿真。为了实现磨损均衡，至少使用两个扇区。