ZHCACJ1 april   2023 MSPM0G3507

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 EEPROM 与片上闪存的区别
  4. 2实现
    1. 2.1 原理
    2. 2.2 标头
  5. 3软件说明
    1. 3.1 软件功能和流程
    2. 3.2 EEPROM 函数
      1. 3.2.1 全局变量
      2. 3.2.2 EEPROM_TypeB_readDataItem
      3. 3.2.3 EEPROM_TypeB_findDataItem
      4. 3.2.4 EEPROM_TypeB_write
      5. 3.2.5 EEPROM_TypeB_transferDataItem
      6. 3.2.6 EEPROM_TypeB_eraseGroup
      7. 3.2.7 EEPROM_TypeB_init
    3. 3.3 应用集成
    4. 3.4 EEPROM 仿真存储器占用空间
    5. 3.5 EEPROM 仿真时序
  6. 4应用方面
    1. 4.1 可配置参数的选择
      1. 4.1.1 数据项数
      2. 4.1.2 耐写次数
    2. 4.2 断电恢复
  7. 5参考文献

4.1.2 耐写次数

闪存耐写次数通常为 10000 次，远低于实际 EEPROM。EEPROM 仿真的一个特性是其耐写次数高于闪存。闪存扇区将划分为多个数据项并逐一写入数据，不需要每次写入时都进行擦除，而是只在写满之后才需要擦除。此外，通过使用多个闪存扇区，等效的耐写次数将进一步提高。

一个组中的扇区数量以及组的数量都会影响等效的擦除/写入次数。由于一个组中的扇区数量已经在上面确定，因此现在可以通过调整组数来获得合理的等效擦除/写入次数。

Effective endurance = Number of data items user's data items × Number of groups × flash endurance

建议用户在选择合理的组数之前计算应用程序所需的耐写次数。

对于三个可由用户配置的参数，建议的设计流程如下：

  1. 计算应用程序所需的数据项数，并选择一个组中的合理扇区数。
  2. 计算应用程序所需的耐写次数，并选择合理的组数。
  3. 选择合适的闪存地址。

例如，有一个应用程序需要每 10 分钟更新一次 EEPROM 中的数据，共有 20 个变量，并需要保证 10 年不间断服务能力。首先，每个组只需要 1 个扇区（127 个数据项）。其次，应用程序所需的耐写次数为 525600 次（10 年 × 365 天 × 24 小时 × 6 次/小时）。需要九组，等效的耐写次数为 571500 次。