ZHCABM3F October   2022  – August 2025 DP83TC812R-Q1 , DP83TC812S-Q1 , DP83TC813R-Q1 , DP83TC813S-Q1 , DP83TC814R-Q1 , DP83TC814S-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2硬件配置
    1. 2.1 原理图
  6. 3软件配置
  7. 4测试 PMA
    1. 4.1 PMA 测试步骤
  8. 5测试 IOP：链路建立和链路断开
    1. 5.1 IOP 测试步骤
  9. 6测试 SQI
    1. 6.1 SQI 值解读
  10. 7测试 TDR
    1. 7.1 TDR 测试步骤
  11. 8测试 EMC 和 EMI
  12. 9修订历史记录

2.1 原理图

MDI、参考时钟和电源网络的原理图和正确的元件对于 100Base-T1 PHY 的性能至关重要。本节显示了 OA TC-1 测试期间使用的建议原理图和元件值。

电源网络：适用于具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC812)图 2-1 电源网络：适用于具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC812)
电源网络：适用于具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC813)图 2-2 电源网络：适用于具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC813)
电源网络：对于没有睡眠模式要求的应用（DP83TC812 和 DP83TC814）图 2-3 电源网络：对于没有睡眠模式要求的应用（DP83TC812 和 DP83TC814）
电源网络：适用于不具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC813)图 2-4 电源网络：适用于不具有睡眠模式要求的应用 (DP83TC813)
MDI 和晶体原理图图 2-5 MDI 和晶体原理图
表 2-1 参数、元件和值
参数 | 元件值
VDDIO | VDDMAC1.8V、2.5V 或 3.3V
去耦电容器 VDDIO10nF
去耦电容器 VDDMAC10nF、470nF
VDDIO | VDDMAC 的组合铁氧体磁珠1BLM18KG601SH1
VDDA3.3V
去耦电容器 VDDA10nF、470nF
（可选）：用于 VDDA 的铁氧体磁珠BLM18KG601SH1
Vsleep3.3V
去耦电容器 Vsleep0.1μF
直流阻断电容器（1% 精度，100V）0.1μF
共模扼流圈

DLW43MH201XK2L、DLW32MH201XK2、AE2002、ACT1210L-201

共模端接电阻（1% 精度，0.75W，尺寸：2010)1kΩ
MDI 耦合电容器4.7nF
ESD 分流器（5% 精度，0.125W，尺寸：0805100kΩ
隔离电阻器 1（0.25W，尺寸：1206)0Ω
隔离电阻器 2（0.25W，尺寸：1206)0Ω
隔离电容未组装
R_XI100Ω
R_XO晶体瓦数规格所需的最小值
ESDCONN（可选）的 ESD 器件符合 OPEN Alliance 100BASE-T1 ESD 抑制器件 EMC 测试规范，其钳位电压高于 100V，负载电容高于 5pF。

例如 PESD1ETH1GLS-Q。

ESDPHY（可选）

PESD2ETHX-Q 将 VCC 引脚连接到 3.3V 电源轨。这在以太网电缆短路连结至电池，以及受到其他低于 100V 的瞬态电压影响时增加了保护。

(1) 如果 VDDIO 与 VDDMAC 分开，在 VDDIO 上便需要额外的铁氧体磁珠和 0.47μF 电容器。此铁氧体磁珠具有相同的元件编号：BLM18KG601SH1。