ZHCAB12 October 2020 TPS55340
除了电压应力 (VIN + VOR),关断时还存在较大的电压尖峰,这是由一次绕组的漏电感中存储的能量造成的。基本而言,事实是这样的,一个绕组的磁通不会 100% 耦合到其他绕组,因此它仍然是电路中的漏电感。减小漏电系数的一种方法是改善变压器绕组结构,例如交错绕组。图 1-2 是在初级侧添加相等的少量漏电感后的仿真结果。
作为仿真结果,漏电感中的存储能量在关断瞬变时立即变为电压尖峰,然后主要与节点上的电容谐振。通常,它在几百 MHz 以下谐振,因此可能导致系统中出现 EMI 问题,需要采取其他缓冲措施。而且,如果电压峰值高于器件的 AMR(绝对最大额定值),无论是在设计阶段还是在现场,都会导致 IC 或 FET 损坏。