ZHCSBD7C August   2013  – June 2024 UCC27524A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 工作电源电流
      2. 6.3.2 输入级
      3. 6.3.3 使能功能
      4. 6.3.4 输出级
    4. 6.4 低传播延迟和紧密匹配的输出
    5. 6.5 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VDD 和欠压锁定
        2. 7.2.2.2 驱动电流和功率损耗
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (October 2014)to RevisionC (June 2024)

  • 将快速传播延迟 从 13ns 更改为 17ns，将快速上升时间 从 7ns 更改为 6ns，将快速下降时间 从 6ns 更改为 10ns，并将最大工作结温范围从 140°C 更改为 150°CGo
  • 将传播延迟时间从 13ns 更改为 17nsGo
  • 将 ESD HBM 值从 4000V 更改为 1000VGo
  • 将 DGN 封装的 RθJA 从 71.8 更改为 48.9，将 RθJC(top) 从 65.6 更改为 71.8，将 RθJB 从 7.4 更改为 22.3，将 ψJT 从 7.4 更改为 2.6，将 ψJB 从 31.5 更改为 22.3，并将 RθJC(bot) 从 19.6 更改为 4.5。将 D 封装的 RθJA 从 130.9 更改为 126.4，将 RθJC(top) 从 80.0 更改为 67.0，将 RθJB 从 71.4 更改为 69.9，将 ψJT 从 21.9 更改为 19.2，并将 ψJB 从 70.9 更改为 69.1。Go
  • 对于 DGN 封装，添加了 IVDD、IVDDO、IDIS、RINx、VENx_H、VENx_L、VENx_HYS。删除了 INx=GND 条件下的 IVDDq、25°C 时的 VON、VDD-VOH 和 VOL 将 INx=VDD 时的 IVDDq 从 55μA（最小值）、110μA（典型值）、175μA（最大值）更改为 300μA（典型值）、450μA（最大值）。将 VON 从 3.7V（最小值）、4.2V（典型值）、4.65V（最大值）更改为 3.8V（最小值）、4.1V（典型值）、4.4V（最大值）。将 VOFF 从 3.4V（最小值）、3.9V（典型值）、4.4V（最大值）更改为 3.5V（最小值）、3.8V（典型值）、4.1V（最大值）。将 VVDD_HYS 从 0.2V（最小值）、0.3V（典型值）、0.5V（最大值）更改为 0.3V（典型值）。将 VINx_H 从 1.9V（最小值）、2.1V（典型值）、2.3V（最大值）更改为 1.8V（最小值）、2V（典型值）、2.3V（最大值）。将 VINx_L 从 1V（最小值）、1.2V（典型值）、1.4V（最大值）更改为 0.8V（最小值）、1V（典型值）、1.2V（最大值）。将 VINx_HYS 从 0.7V（最小值）、0.9V（典型值）、1.1V（最大值）更改为 1V（典型值）。将 ROH 从 2.5Ω（最小值）、5Ω（典型值）、7.5Ω（最大值）更改为 5Ω（典型值）、8.5Ω（最大值）。将 ROL 从 0.15Ω（最小值）、0.5Ω（典型值）、1Ω（最大值）更改为 0.6Ω（典型值）、1.1Ω（最大值）。Go
  • 对于 DGN 封装，将 tR 从 7ns（典型值）、18ns（最大值）更改为 6ns（典型值）、10ns（最大值）。将 tF 从 6ns（典型值）、10ns（最大值）更改为 10ns（典型值）、14ns（最大值）。将 tD1、tD2、tD3、tD4 从 6ns（最小值）、13ns（典型值）、23ns（最大值）更改为 17ns（典型值）、27ns（最大值）。将 tM 从 1ns（典型值）、4ns（最大值）更改为 1ns（典型值）、2ns（最大值）。将 tPWmin 从 15ns（典型值）、25ns（最大值）更改为 10ns（典型值）、15ns（最大值）。Go
  • 更改了“典型特性”图Go
  • 将快速传播延迟从 13ns 更改为 17ns，并将最大工作结温范围从 140°C 更改为 150°CGo
  • 更改了功能方框图Go
  • 更改了阈值电压和迟滞Go
  • 更改了“输出级”说明Go
  • 更改了“低传播延迟和紧密匹配的输出”Go
  • 将 UVLO 典型值从 4.25V 更改为 4V，并将迟滞从 350mV 更改为 300mVGo
  • 更改了“应用曲线”Go
  • 将传播延迟时间从 13ns 更改为 17nsGo

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (August 2013)to RevisionB (October 2014)

  • 添加了引脚配置和功能 部分、处理等级 表、特性说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源相关建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (August 2013)to RevisionA (August 2013)

  • 将销售状态从“产品预发布”更改为“量产数据”。Go