4 引脚配置和功能

图 4-1 DRC 封装 10 引脚 SON顶视图

表 4-1 引脚功能

引脚		类型⁽³⁾	说明
名称	DRC	类型⁽³⁾	说明
EN	6	I	使能输入。当该引脚被拉高时，它将启用驱动器。如果保持悬空或被拉低，它将禁用驱动器。建议在 EN 和 VSS 之间放置一个滤波电容器（通常为 1nF 至 10nF），以提高敏感应用的抗噪性能。
HB	3	P	高侧自举电源。自举二极管位于片上，但需要外部自举电容器。将自举电容器的正极侧连接到该引脚。HB 旁路电容器的典型范围为 0.022µF 至 0.1µF。电容器值取决于高侧 MOSFET 的栅极电荷，还必须根据速度和纹波标准进行选择。
HI	7	I	高侧输入。⁽¹⁾
HO	4	O	高侧输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
HS	5	P	高侧源极连接。连接到高侧功率 MOSFET 的源极。将自举电容器的负极侧连接到该引脚。
LI	8	I	低侧输入。⁽¹⁾
LO	10	O	低侧输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
VDD	1	P	低侧栅极驱动器的正电源。将该引脚去耦合至 V_SS (GND)。典型去耦电容器范围为 0.22µF 到 4.7µF（请参阅⁽²⁾）。
VSS	9	G	器件的负电源端子，通常为接地。
散热焊盘	Pad	—	连接到热质量较大的布线或 GND 平面以提高热性能。引脚 VSS 和外露散热焊盘在内部连接。

(1) 假设 HI、LI 和 EN 输入连接到低阻抗源信号。假设源输出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω，请在 HI 和 VSS 之间、LI 和 VSS 之间以及 EN 和 VSS 之间分别添加一个旁路电容器。添加的电容器值取决于引脚上出现的噪声水平，通常 1nF 至 10nF 应能有效消除可能的噪声影响。当 HI 或 LI 这两个引脚上出现噪声时，会导致 HO 和 LO 故障，产生错误的逻辑输出。

(2) 对于低温应用，TI 建议使用电容范围上限值。请遵循 PCB 布局的布局指南。

(3) G = 接地，I = 输入，O = 输出，P = 电源。