ZHCSXH4 July   2024 UCC27311A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 启用
      3. 6.3.3 欠压锁定 (UVLO)
      4. 6.3.4 电平转换器
      5. 6.3.5 自举二极管
      6. 6.3.6 输出级
      7. 6.3.7 负电压瞬变
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入阈值类型
        2. 7.2.2.2 VDD 偏置电源电压
        3. 7.2.2.3 峰值拉电流和灌电流
        4. 7.2.2.4 传播延迟
        5. 7.2.2.5 功率耗散
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录
    2. 12.2 卷带包装信息
    3. 12.3 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRC|10
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.7 负电压瞬变

在大多数应用中，外部低侧功率 MOSFET 的体二极管将 HS 节点钳制到接地。某些时候，在外部低侧 MOSFET 的体二极管钳制此摆幅之前，电路板电容和电感会导致 HS 节点在接地电位以下瞬态摆动几伏。只要不违反规范并且遵循本节中提到的条件，该器件中的 HS 引脚就能摆动到接地电位以下。

确保 HB 至 HS 工作电压在建议运行条件内。因此，如果 HS 引脚瞬态电压为 -5V，则 VDD（以及 HB）在理想情况下限制为 12V，以将 HB 至 HS 电压保持在 17V 以下。通常，当 HS 摆动为负值时，HB 瞬间跟随 HS，因此 HB 至 HS 电压不会明显过冲。

HS 的电势必须始终低于 HO。将 HO 拉至规定条件以下，可能会激活寄生晶体管，从而导致 HB 电源的电流过大。这样可能损坏器件。LO 和 VSS 的关系也是如此。如有必要，可在 HO 和 HS 之间或 LO 和 VSS 之间外接肖特基二极管，保护器件免受此类瞬变影响。为充分发挥作用，二极管应尽量靠近器件引脚。

为确保栅极驱动器器件正常运行，从 HB 到 HS 以及从 VDD 到 VSS 的低 ESR 旁路电容器至关重要。为充分减小串联电感，电容器应位于器件引线处。LO 和 HO 的峰值电流可能非常大。旁路电容器的任何串联电感都会在器件引线上引发电压振铃，为确保可靠运行，必须避免这种情况发生。

根据应用电路板设计和其他运行参数，除 HS 引脚外，其他引脚（比如 HI 和 LI 输入引脚）也可能瞬时摆动到接地电位以下。为了适应这种运行条件，器件的输入引脚能够处理绝对最大值为 -10V 的电压。根据布局和其他设计限制，输出 HO 和 LO 有时也可能出现短时间瞬态电压。因此，该器件还可以在 HO 和 LO 输出引脚上以小于 100ns 的持续时间处理 -2V 瞬变。