11 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (October 2015)to RevisionD (July 2024)

• 更改了文档标题以反映器件的主要特性。Go
• 更改了若干规格以反映器件特性。Go
• 从数据表中删除了 8 引脚 SOIC 和 10 引脚 SON 封装Go
• 更改了“特性”部分：1) 将结温范围规格从“-40°C 至 140°C”更改为“-40°C 至 150°C”。2) 删除了 HBM 和 CDM 分类等级，ESD 表中的等级未更改。3) 更改了峰值电流以反映规格，实际驱动强度未更改（从4A/4A更改为3.7A/4.5A）。4) 删除了 0.9Ω 上拉和下拉电阻，因为这未在电气特性表中指定。5) 删除了 UCC27211A 器件不具备的伪 CMOS 兼容输入功能。Go
• 更新了“应用”部分，添加了 5 大典型应用列表。Go
• “说明”部分的更改：1) 添加了新的 D（SOIC，8）封装型号。2) 更改了峰值电流以显示典型上拉/下拉电阻，实际规格未更改（从4A/4A更改为3.7A/4.5A）。3) 删除了上拉/下拉电阻信息，因为这不是电气特性表中的实际规格。4) 使用新数据更新了传播延迟图。5) 更改了 HS 瞬态容差以匹配绝对最大值表中的规格（从-18V更改为-(24-VDD)V）。Go
• 从上到下更改了 VSON 引脚排列视图Go
• 更新了建议运行条件：将工作结温最大值从 140°C 更改为 150°CGo
• 更新了“热性能信息”部分以反映器件特性Go
• 更新了“电气特性”表中的电源电流规格：1) 删除了 I_DD、I_DDO、I_HB 和 I_HBO 的最低规格。2) 更改了 I_DD 典型值（从0.085mA更改为0.11mA）。3) 更改了 I_DDO 典型值（从2.6mA更改为1.4mA）。4) 更改了 I_DDO 最大值（从6.5mA更改为3mA）。5) 更改了 I_HBO 典型值（从2.5mA更改为1.3mA）。6) 更改了 I_HBO 最大值（从5.1mA更改为3mA）。8) 更改了 I_HBS 测试条件以与 V_HS 最大建议工作条件相匹配（从115V更改为105V）。9) 更改了 I_HBSO 典型值（从0.07mA更改为0.03mA）。10) 更改了 I_HBSO 最大值（从1.2mA更改为1mA）。Go
• 更新了“电气特性”表中的输入规格：1) 更改了 V_HIT 最小值（从1.9V更改为1.7V）。2) 更改了 V_LIT 最小值（从1.3V更改为1.2V）。Go
• 更新了“电气特性”表中的自举二极管规格：1) 更改了 V_F 最大值（从0.8V更改为0.85V）。2) 更改了 V_FI 典型值（从0.85V更改为0.9V），更改了最大值（从0.95V更改为1.05V）。3) 更改了 R_D 测试条件（从100mA 和 80mA更改为180mA 和 160mA）。4) 更改了 R_D 典型值（从0.5Ω更改为0.55Ω）。Go
• 更新了“电气特性”表中的 LO/HO 栅极驱动器规格：1) 删除了 V_LOL、V_LOH、V_HOL、V_HOH 的最低规格。2) 更改了 V_LOL 和 V_HOL 典型值（从 0.1V 更改为0.07V）。3) 更改了 V_LOH 和 V_HOH 典型值（从0.16V更改为0.11V）。Go
• 更新了“开关特性 - 传播延迟”表：1) 更改了 T_DLFF 和 T_DHFF 典型值（从16ns更改为19ns）Go
• 更新了“开关特性 - 输出上升和下降时间”表：1) 更改了 t_R 典型值（从0.36us更改为0.27us）。2) 更改了 t_F 典型值（从0.15us更改为0.16us）。Go
• 更新了“开关特性-其他”表：将 t_{IN_PW} 最大值从50ns更改为40ns）Go
• 更新了“典型特性”部分中的所有曲线图以反映器件的典型规格。Go
• 更改了概述部分列出的典型规格，以便与电气特性表中的器件规格保持一致。Go
• 更改了输入级部分，以便匹配电气特性表中的输入下拉电阻典型规格（从70kΩ更改为68kΩ）。Go
• 更改了应用曲线以显示传播延迟和上升/下降时间图Go