ZHCSHS5C February   2018  – November 2024 UCC21222

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全限值
    8. 5.8  电气特性
    9. 5.9  开关特性
    10. 5.10 绝缘特性曲线
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 6.2 上升至下降时间
    3. 6.3 输入和禁用响应时间
    4. 6.4 可编程死区时间
    5. 6.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 6.6 CMTI 测试
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 UCC21222 中的二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 禁用引脚
      2. 7.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 7.4.2.1 将 DT 引脚连接到 VCC
        2. 7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 选择外部自举二极管及其串联电阻
        3. 8.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 8.2.2.4 栅极至源极电阻器选择
        5. 8.2.2.5 估算栅极驱动器功率损耗
        6. 8.2.2.6 估算结温
        7. 8.2.2.7 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 8.2.2.7.1 选择 VCCI 电容器
          2. 8.2.2.7.2 选择 VDDA（自举）电容器
          3. 8.2.2.7.3 选择 VDDB 电容器
        8. 8.2.2.8 死区时间设置指南
        9. 8.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 认证
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 支持资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (February 2024)to RevisionC (November 2024)

  • 更新了“特性”部分以反映器件特性Go
  • 添加了工作结温范围Go
  • 将 CMTI 从大于 100V/ns 更改为大于 125V/nsGo
  • 将最大 VDD 输出驱动电源电压从 18V 更改为 25VGo
  • 将典型传播延迟从 28ns 更改为 33nsGo
  • 删除了关于最大延迟匹配的要点Go
  • 将最大脉宽失真从 5.5ns 更改为 5nsGo
  • 删除了关于最小脉冲宽度的要点Go
  • 添加了 10µs 最大 VDD 上电延迟Go
  • 删除了关于隔离栅寿命和浪涌抗扰度的要点Go
  • 将认证更新为最新标准Go
  • 更新了“应用”部分Go
  • 更新了说明部分以反映器件特性Go
  • 将 CMTI 从大于 100V/ns 更改为大于 125V/nsGo
  • 删除了有关负电压处理的句子Go
  • 将“功能方框图”更改为“典型应用原理图”Go
  • 更改了 DIS 引脚说明；将 DIS 引脚保持断开会禁用器件，并且此引脚被内部拉高而不是低电平Go
  • 删除了 DT 引脚建议的电容器大小为 2.2nF 或更高更改了 DT 引脚公式Go
  • 添加了 INA 和 INB RC 滤波器建议Go
  • 将所有 -0.5V 最小值更改为 -0.3V，以与新发布的数据表保持一致Go
  • 将 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB absmax 从 20V 更改为 30VGo
  • 将所有绝对最大值从 +0.5V 电源更改为 +0.3V 电源，以与新发布的数据表保持一致Go
  • 将输入信号干扰电压从 -2V 更改为 -5V，将测试条件从 200ns 更改为 50nsGo
  • 添加了 D 封装通道间隔离电压Go
  • 将 ESD 规格从“HBM = ±4000”和“CDM = ±1500”更新为“HBM = ±2000”和“CDM = ±1000”，以便符合 ESD 行业标准Go
  • 将 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB 的建议最大值从 18V 更改为 25VGo
  • 删除了环境温度规格Go
  • 将结温最大值从 130°C 更改为 150°CGo
  • 将 RθJA = 68.5°C/W、RθJC(top) = 30.5°C/W、RθJB = 22.8°C/W、ψJT = 17.1°C/W、ψJB = 22.5°C/W 热性能值更新至 RθJA = 80.2°C/W、RθJC(top) = 36.6°C/W、RθJB = 45°C/W、ψJT = 28°C/W、ψJB = 44.3°C/WGo
  • 将 PD = 1825mW、PDI = 15mW、PDA/PDB = 905mW 更新为 PD = 950mW、PDI = 50mW、PDA/PDB = 450mW更改了测试条件Go
  • 将 DIN EN IEC 更新为最新标准，更新了绝缘电压值Go
  • 将势垒电容从 0.5pF 更改为约 1.2pFGo
  • 删除了安全相关认证部分“认证中”Go
  • 更改了 IS 测试条件将 IS 值从 75mA (VDDA/B=12V) 更改为 50mA (VDDA/B=15V) 和 30mA (VDDA/B=25V)Go
  • 将安全限值从 PS = 15mW/905mW/905mW/1825mW 更新为 PS = 50mW/750mW/750mW/1550mWGo
  • 将 IVCCI 静态电流规格典型值从 1.5mA 更新为 1.4mAGo
  • 为 IVCC 和 IVDD 添加了更多测试条件Go
  • 将 IVCCI 工作电流典型值从 2.5mA 更新为 2.7mA，并添加了最大值 3.2mAGo
  • 将 IVDDA/IVDDB 静态电流规格典型值从 1.0mA 更新为 1.2mA，将最大值从 1.8mA 更新为 2.0mAGo
  • 将 IVDDA/IVDDB 工作电流典型值从 2.5mA 更新为 2.7mA，并添加了最大值 4.4mA从测试条件中删除了 CloadGo
  • 将 VCCI 上电延迟从“典型值 = 40us”更改为“最小值 = 18us、最大值 = 80us”Go
  • 新增了 VCC UVLO 关断延迟和抗尖峰脉冲规格Go
  • 将上升阈值最小值 8V、典型值 8.5V、最大值 9V 更新为最小值 7.7V、典型值 8.5V、最大值 8.9VGo
  • 将下降阈值最小值 7.5V、典型值 8V、最大值 8.5V 更新为最小值 7.2V、典型值 7.9V、最大值 8.4VGo
  • 将 8V UVLO 迟滞典型值从 0.5V 更新为 0.6VGo
  • 删除了 VDD 上电延迟（典型值为 22us）并增加了最大值 10usGo
  • 新增了 VDD UVLO 关断延迟和抗尖峰脉冲规格Go
  • 将输入高电平阈值（典型值 = 1.8V、最大值 = 2V）更新为（典型值 = 2V、最大值 = 2.3V）删除了最小规格Go
  • 删除了输入低阈值电压最大规格Go
  • 将输入阈值迟滞典型值从 0.8V 更新为 1VGo
  • 添加了 INx 引脚下拉电阻规格Go
  • 将峰值电流测试条件更新为 0.22uF 负载电容更改了峰值输出源电流方向Go
  • 将输出电阻测试条件从 ±10mA 更新为 ±0.05AGo
  • 删除了高/低电平状态下的输出电压规格Go
  • 将有源下拉典型值 = 1.75V、最大值 = 2.1V 更新为典型值 = 1.6V、最大值 = 2VGo
  • 更新了 DT 引脚规格，删除了死区时间匹配Go
  • 将输出上升时间典型值从 5ns 改为 8ns删除了最大值Go
  • 将输出下降时间典型值从 6ns 改为 8ns删除了最大值Go
  • 将传播延迟 TPDHL 和 TPDLH 从典型值 28ns、最大值 40ns 更改为最小值 26ns、典型值 33ns、最大值 45nsGo
  • 将最小脉冲宽度从典型值 = 10ns、最大值 = 20ns 更改为最小值 = 4ns、典型值 = 12ns、最大值 = 30nsGo
  • 将传播延迟匹配从 TJ = -40C 至 -10C 时最大值 = 6.5ns 更改为 TJ = -10C 至 150C 时最大值 = 5nsGo
  • 将脉宽失真最大值从 5.5ns 更改为 5nsGo
  • 将 CMTI 最小值从 100V/ns 更新至 125V/nsGo
  • 更新了热曲线以匹配更新后的特性Go
  • 更新了典型特性图以显示器件特性Go
  • 删除了参数测量信息中的最小脉冲Go
  • 更改了 DT 公式删除了建议使用的 2.2nF 或更大的 DT 去耦电容器Go
  • 更新了 UVLO 延迟以匹配新规格Go
  • 更新了功能方框图以反映器件特性Go
  • 更改了逻辑表；将 DIS 引脚保持断开状态可禁用驱动器Go
  • 更新了输入级部分以匹配新的规格Go
  • 向“输出级”部分添加了关于最小脉宽的段落Go
  • 更新了 ESD 结构图以反映器件特性Go
  • 更改了死区时间公式，删除了关于 2.2nF 或更大 DT 电容器的建议Go
  • 更改了典型应用原理图以删除 DT 电容器Go
  • 更新了应用部分以匹配最新的规格Go
  • 添加了“死区时间设置指南”部分Go
  • 将 VDDA/VDDB 最大值从 18V 更改为 25VGo
  • 删除了建议的 ≥ 2.2nF DT 电容器尺寸Go
  • 更新了布局指南Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (April 2018)to RevisionB (February 2024)

  • 更改了绝缘规格中的 CTI 和材料组值并添加了表注Go