ZHCSE23D January 2015 – November 2025 TPS7B4253-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VI(UVLO) | IN 欠压检测 | VIN 上升 | 3.65 | V | |||
| VIN 下降 | 2.8 | V | |||||
| ΔVO | 输出电压跟踪准确度(1) | IOUT = 100µA 至 300mA,VIN = 4 至 40V VADJ < VIN − 1V 1.5V < VADJ < 18V(针对 HTSSOP) 2V < VADJ < 18V(针对 SO PowerPAD) | -4 | 4 | mV | ||
| ΔVO(ΔIO) | 负载调节稳态 | IOUT = 0.1 至 300mA,VADJ = 5V | 4 | mV | |||
| ΔVO(ΔVI) | 线性调整率稳态 | IOUT= 10mA,VIN = 6 至 40V,VADJ = 5V | 4 | mV | |||
| PSRR | 电源纹波抑制 | ƒrip = 100Hz,Vrip = 0.5VPP,C(OUT) = 10µF,IOUT = 100mA | 70 | dB | |||
| V(DROPOUT) | 电压降 (V(DROPOUT) = VIN − VOUT) | IOUT = 200mA,VIN = VADJ ≥ 4V(2) | 320 | 520 | mV | ||
| IO(lim) | 输出电流限制 | VADJ = 5V, OUT short to GND | 301 | 450 | 520 | mA | |
| IR(IN) | IN 下的反向电流 | VIN = 0V,VOUT = 40V,VADJ = 5V | -2 | 0 | µA | ||
| IR(–IN) | IN 为负时的反向电流 | VIN = -40V,VOUT = 0V,VADJ = 5V | -10 | 0 | µA | ||
| TSD | 热关断温度 | 由于 IC 产生的功率耗散,TJ 增加 | 175 | °C | |||
| TSD_hys | 热关断迟滞 | 15 | °C | ||||
| IQ | 电流消耗 | 4V ≤ VIN ≤ 40V,VADJ = 0V;VEN = 0V | 2 | 4 | µA | ||
| 4V ≤ VIN ≤ 40V,VEN ≥ 2V,VADJ < 0.8V | 7 | 18 | |||||
| 4V ≤ VIN ≤ 40V,IOUT < 100µA,VADJ = 5V | 60 | 100 | |||||
| 4V ≤ VIN ≤ 40V,IOUT < 300mA,VADJ = 5V | 350 | 400 | |||||
| IQ(DROPOUT) | 压降区域中的电流消耗 | VIN = VADJ = 5V,IOUT = 100µA | 70 | 140 | µA | ||
| II(ADJ) | 调整输入电流 | VADJ = VFB = 5V | HTSSOP 封装 | 0.5 | µA | ||
| SO PowerPAD 封装 | 5.5 | ||||||
| V(ADJ_LOW) | 调整低电平信号有效 | VOUT = 0V | HTSSOP 封装 | 0 | 0.8 | V | |
| SO PowerPAD 封装 | 0 | 0.7 | |||||
| V(ADJ_HIGH) | 调整高电平信号有效 | |VOUT − VADJ| < 4mV | HTSSOP 封装 | 1.5 | 18 | V | |
| SO PowerPAD 封装 | 2 | 18 | |||||
| V(EN_LOW) | 启用低电平信号有效 | VOUT = 0V | 0 | 0.7 | V | ||
| V(EN_HIGH) | 启用高电平信号有效 | OUT 稳定 | 2 | 40 | V | ||
| IEN | 启用下拉电流 | 2V < VEN < 40V | 5 | µA | |||
| IFB | FB 偏置电流 | VADJ = VFB = 5V | 0.5 | µA | |||