ZHCSUR1L December 2005 – December 2024 TPS74301
PRODUCTION DATA
优化的布局可以极大地改善瞬态性能、PSRR 和噪声。为更大程度地减小负载瞬态期间器件输入端的压降,必须将 IN 和 BIAS 上的电容连接至尽可能靠近器件的位置。该电容还可以更大限度减小寄生电感和输入源电阻的影响,从而提高稳定性。为实现更高瞬态性能和精度,必须将图 7-4 中 R1 的顶侧尽可能靠近负载连接。如果 BIAS 连接到 IN,则建议将 BIAS 连接到尽可能靠近输入电源的检测点的位置。该连接可在瞬态条件下更大限度地减少 BIAS 上的压降,并可以改善导通响应。
了解器件功率耗散并正确确定连接到接片或焊盘的热平面尺寸,对于避免热关断并提供可靠运行至关重要。器件的功率耗散取决于输入电压和负载条件,并可使用方程式 1 进行计算:

通过使用实现所需输出电压的最低可能输入电压可大大减小功率耗散并提高效率。
在 QFN (RGW) 封装上,主要的热传导路径是通过外露焊盘到达印刷电路板 (PCB)。焊盘可以接地或保持悬空;但是,必须将焊盘连接到适当大小的铜 PCB 区域,以确保器件不会过热。在 DDPAK (KTW) 封装上,主要的热传导路径通过接片连接到 PCB。接片必须连接到地。最大结至环境热阻取决于最高环境温度、最高器件结温和器件的功率耗散,并可使用方程式 2 计算:

已知最大 RθJA,可以使用图 7-9 估算适当散热所需的 PCB 铜面积最小值。

图 7-9 展示了 θJA 与电路板中接地平面覆铜区的函数关系。该图仅用作指南来演示接地平面中散热的影响,不得用于估算实际应用环境中的实际热性能。